CVD研究会今後の予定
第85回CVD研究会は、12月9日(火)に名古屋で開催します。
第85回CVD研究会
令和7年12月9日(火) 10:15 〜 16:50（予定）愛知県産業労働センター ウインクあいち（名古屋市）
共催 化学工学会反応工学部会CVD反応分科会、京都大学工学研究科化学プロセス研究コンソーシアム ナノ材料プロセス研究グループ
| プログラム（仮に講演者と内容の分野を列挙しています） | |||
| 10:15〜11:00 | 「PVDコーティングによる金属窒化物およびDLC」 | (株)神戸製鋼所 | |
| 11:00〜11:45 | 「サムコのプラズマ技術によるALD装置およびプロセス開発（仮題）」 | サムコ(株) | |
| 11:45〜13:30 | 休憩 | ||
| 13:30〜13:40 | 令和7年度CVD研究会総会 | ||
| 13:40〜14:25 | 「III-V/Si集積に向けたMOVPE選択成長によるSOI(001)基板上InP系ヘテロ構造形成」 | 日本電信電話(株) NTT先端集積デバイス研究所 | |
| 14:25〜15:10 | 「半導体CNTのフレキシブルエレクトロニクス応用」 | 名古屋大学 | |
| 15:10〜15:20 | 休憩 | ||
| 15:20〜16:05 | 「カーボンナノチューブ薄膜電極を用いたペロブスカイト太陽電池」 | 名古屋大学 | |
| 16:05〜16:50 | 「放射光を活用した機能性薄膜の解析」 | 日本大学 | |
| 17:20〜19:20 | 技術交流会 | ||
| CVD研究会会員 | 3,000円 | ||
| 大学・国公研 教員・研究者・技術者 | 5,000円 | ||
| 共催・協賛学協会会員(企業関係者) | 10,000円 | ||
| 一般 | 15,000円 | ||
| 学生 | 1,000円 | ||
| 4,000円 | |||
| 令和7年12月2日(火) 12時 | |||
| Google フォーム https://forms.gle/iKPFHbyDqArrgyo58よりお申し込みください。請求書払いを希望される場合は、事務局にご相談ください。 | |||
| CVD研究会 （会長 河瀬元明, 事務局 影山美帆） 〒615-8510 京都市西京区京都大学桂 |
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共催行事
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化学工学会CVD反応分科会 第43回シンポジウム
「ALD/ALE 2025特集」主催 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会 共催 CVD研究会, Cat-CVD研究会 協賛 応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会，プラズマエレクトロニクス分科会 日程 2025年10月31日(金) 12:50〜18:00 会場 東京大学本郷キャンパス・武田ホール（武田先端知ビル 5階）＋Zoomによるオンラインリアルタイム配信 開催趣旨 6月下旬に韓国・済州で開催されたALD/ALE 2025には日本からも多くの参加者と発表がありました。これらの発表は国内では発表されていないものもありましたので、改めて日本語で発表いただく特集シンポジウムを企画しました。これからALDを始める方も、さらなる知識の習得を目指す方も奮ってご参加ください。
参加費(税込) 化学工学会 CVD反応分科会法人賛助会員（無料）、 化学工学会 CVD反応分科会個人会員（3,000円）、 化学工学会 反応工学部会会員（4,000円）、化学工学会会員（5,000円）、 CVD研究会会員（5,000円）、Cat-CVD研究会会員（5,000円）、 応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会会員（5,000円）、 応用物理学会・プラズマエレクトロニクス分科会会員（5,000円）、 非会員（12,000円）、学生（無料） 申込方法 Webサイト https://cvd43symposium.peatix.com/よりお申し込み下さい。（peatix.comドメインからのメールを受信可能としてください。） アクセスできない場合には、(1)氏名、(2)所属、(3)連絡先E-mail、(4)参加資格(所属学会等)、(5)参加形態（対面参加、オンライン参加）、(6)懇親会参加可否（予定可）、を明記のうえ、cvd@scej.orgまでメールにてお申し込み下さい。 申込締切 10月28日（火）正午 厳守（締め切り後の申し込みは一切できません。）
対面参加200名、オンライン参加300名の定員に達し次第、申し込み受付を終了いたします。問合せ先 CVD反応分科会事務局 E-mail：cvd@scej.org 注意事項 - 参加費はクレジットカードにて前払いです。懇親会費は、当日受付にて現金払いです。
- 参加者による録画・録音は一切禁止とします。
- 会議URLならびに講演資料入手方法は参加申込者にのみ開催日前日にメールにてお送りします。
- 諸事情により、内容が変更される場合があります。
- 講演動画の事後配信は致しません。
プログラム 発表言語：日本語もしくは英語 司会 百瀬 健 氏（熊本大学） 12:50-13:00 開会挨拶 霜垣 幸浩 氏（東京大学） 13:00-13:20 “Oxide Film ALD Using OH Radicals Generated by Mixing Pure Ozone Gas with Hydrogen-Included Molecular Gas Over 200 °C” （(株)明電舎）
亀田 直人 氏13:20-13:40 “Silicon Nitride ALD Process Using Diiodosilane and Hydrazine for Low Temperature Deposition” （大陽日酸(株)）
村田 逸人 氏13:40-14:00 “High Temperature Area Selective ALD SiN by in-Situ Selective Surface Fluorination” （東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株)）
劉 昊南 氏14:00-14:20 “Effect of Impurities in Trimethylaluminum on Conformality of Al2O3 Thin Film on Patterned Substrate Grown by ALD” （東ソー(株)）
岩永 宏平 氏14:20-14:40 “Sequential Adsorption of Dimethyl Zinc and Trimethylaluminum and Its Application to Zinc Aluminum Oxide Atomic Layer Deposition” （山形大学）
廣瀬 文彦 氏14:40-15:00 “A Novel Liquid Cocktail Precursor for Atomic Layer Deposition of Hafnium-Zirconium-Oxide Films for Ferroelectric Devices” （北海道大学）
西田 章浩 氏15:00-15:15 休憩 司会 霜垣 幸浩 氏（東京大学） 15:15-15:35 “Bimetal Thin Film Deposition Using Novel Organometallic Dinuclear RuCo Complex” （田中貴金属工業(株)）
鈴木 和治 氏15:35-15:55 “Molecular Design of ALD Precursors Through Atomic-Level Simulation and Their Reactivity Analysis” （Matlantis(株)）
浅野 裕介 氏15:55-16:15 “Comparative Study of Experimental and DFT Calculations of Trimethyl-aluminum Adsorption on SiO2, SiN, and Si for Area-Selective Deposition” （東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株)）
林 元輝 氏16:15-16:35 “Insights Into Tuning TiO2 Film Property Distribution in 3D Structures During PEALD Process” （ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)）
濱野 誉 氏16:35-16:55 “In-Situ Observation of Surface Reaction and Advanced Process for Damage-Less Atomic Layer Etching” （名古屋大学）
堤 隆嘉 氏16:55-17:15 “On an Initial Incubation Process of Thermal ALD Pt on ALD Al2O3 Measured by Temperature Stabilized In-line QCM” （東北大学）
熊野 勝文 氏17:15-17:20 閉会挨拶 百瀬 健 氏（熊本大学） 17:20-18:00 ポスターセッション・展示（オンライン配信なし） 18:00-19:30 懇親会 ポスターセッション（決定分，随時更新） P1 “Prediction of Adsorption/Desorption Equilibrium Constants and Surface Reaction Rate Constants Using Neural Network Potentials for ALD Process Design” （東京大学）
佐藤 登 氏P2 “Computation of Al2O3 ALD by Trimethylaluminum with Kinetic Monte Carlo and Neural Network Potential” （東京大学）
鄒 逸宸 氏P3 “Adsorption State Study of Trimethylaluminum Using Neural Network Potential Computation and High Accuracy in-situ Quartz Crystal Microbalance” （東京大学）
呉 宇軒 氏P4 “Evaluation of Initial Nucleation of Co-ALD by CCTBA Using in-Situ Reflectance Monitoring and Atomistic Simulator Based on Neural Network Potential” （東京大学）
玉置 直樹 氏P5 “Molecular Dynamics Simulations of HF Etching Using Universal Graph Neural Network Potential” （Matlantis(株)）
名児耶 彰洋 氏展示（会社名50音順，決定分，随時更新） ALD Japan 株式会社 気相成長 株式会社 株式会社 ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ 株式会社 高純度化学研究所 大陽日酸 株式会社 株式会社 田中貴金属 ピエゾ パーツ 株式会社 株式会社 堀場エステック Matlantis 株式会社 シンポジウムオーガナイザー 霜垣 幸浩（東京大学），百瀬 健（熊本大学），筑根 敦弘（東京大学）
cheme.kyoto-u.ac.jp