平成21年度CVD研究会活動記録

第49回CVD研究会「第20回夏季セミナー」

平成21年8月20日(木) 13:30 〜 21日(金) 12:00
京都・烟河（けぶりかわ）（621-0251 亀岡市本梅町平松1-1）
共催　化学工学会反応工学部会CVD反応分科会
協賛　化学工学会関西支部，近畿化学協会

8月20日(木)
13:30〜14:30	「金型・工具へのDLC応用」	ナノテック株式会社 常務	西口　晃 氏
14:30〜15:30	「大気圧マイクロプラズマの生成と薄膜プロセス応用」	埼玉大学工学部 教授	白井　肇 氏
15:45〜16:45	「SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるSWNT/グラフェン形成」	静岡大学電子工学研究所 教授	天明 二郎 氏
16:45〜17:45	「太陽電池産業の現状とCVD技術の動向」	株式会社カネカ 生産技術研究所 薄膜プロセス開発グループ	高橋 武良 氏
8月21日(金)
9:00〜10:00	「SiおよびSiCの自己形成ナノ構造とゆらぎ − SiC金平糖，Siナノチェイン，SiCナノワイヤ」	大阪大学理学研究科 准教授	河野 日出夫 氏
10:00〜11:00	「プラズマ反応を用いた先進的な機能薄膜作製技術」	産業技術総合研究所 客員研究員	黒澤 茂 氏
11:00〜12:00	「大気圧プラズマによるフッ素系ポリマーの親水化処理」	株式会社ウインズ 社長	長田　厚 氏

第50回CVD研究会

平成21年12月10日(木) 10：50〜17：20
名古屋大学環境総合館レクチャーホール (464-8601 名古屋市千種区不老町)
共催　化学工学会反応工学部会CVD反応分科会

10:50〜11:40	「プラズマCVDによる単層・多層カーボンナノチューブ選択合成」	東京工業大学 理工学研究科	野崎 智洋 氏
11:40〜12:30	「セグメント構造DLC膜の合成と応用」	(株)iMott 社長	松尾　誠 氏
13:45〜14:00	平成21年度CVD研究会総会
14:00〜14:30	「ミスト技術の応用　−薄膜作製技術への挑戦」	高知工科大学 ナノ・デバイス研究所	川原村 敏幸 氏
14:30〜15:20	「電磁プロセス利用による色素増感太陽電池の作製」	東京大学 先端科学技術研究センター	内田　聡 氏
15:40〜16:10	「IRを用いたカーボンCVD反応器内の2次元濃度分布測定」	京都大学 工学研究科化学工学専攻	河瀬 元明 氏
16:10〜17:00	「フィルタードアーク蒸着とスーパーハードDLC成膜技術」	豊橋技術科学大学 電気・電子工学系	滝川 浩史 氏
17:00〜17:20	「CVD研究会を振り返って。。。」	前会長 (財)豊田理化学研究所フェロー	元島 栖二 氏
		会長 名古屋大学	伊藤 秀章 氏
		副会長 (財)応用科学研究所	鄭　容宝 氏

共催行事

• CVDミニシンポジウム「パワーデバイス材料のCVD　〜〜SiC薄膜の成長法・成長機構と展開〜〜」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会
  日程	平成21年4月3日（金）13時〜17時、懇親会17時半〜
  場所	東京大学山上会館
  開催趣旨	パワーデバイスは種々の機器・装置などに広く用いられています。特に、カーエレクトロニクスの進展に伴い、更に効率の良いパワーデバイスが必要とされています。従来、半導体シリコンを用いてパワーデバイスが作製されてきましたが、半導体炭化珪素(SiC)を用いることにより高温動作・高効率化が達成されるため、SiC薄膜形成技術の研究・開発が広く行なわれています。 　本シンポジウムでは、CVDによるSiC薄膜形成技術について著名な先生方に御講演頂き、その要点に関わる科学を議論すると共に、今後の展開に繋がるキーワードを探索することを企画しました。多数のご参加を期待しております。
  13:00〜13:10	趣旨説明
  	（横浜国立大学） 羽深　等 氏
  13:10〜13:50	「高性能パワーデバイスのためのSiC結晶成長」
  	（パナソニック） 北畠　真 氏
  13:50〜14:30	「4H-SiC薄膜成長機構の理論的検討」
  	（日立製作所） 望月 和浩 氏
  14:30〜15:10	「エピタキシャル成長における4H-SiC表面過程」
  	（産業技術総合研究所） 児島 一聡 氏
  15:10〜15:25	休憩
  15:25〜16:05	「厚膜4H-SiCエピタキシャル膜成長」
  	（電力中央研究所） 土田 秀一 氏
  16:05〜16:45	「SiH3CH3による3C-SiC薄膜形成機構」
  	（東北大学） 末光 眞希 氏

• CVDミニシンポジウム「CVD反応シミュレーション」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会
  日程	平成21年12月16日（水）14：00〜18：05
  場所	銀座ルノアール貸会議室プラザ八重洲北口 5階-1号室 (東京都中央区八重洲1-7-4 矢満登ビル)
  14:00〜14:05	開会挨拶
  	（東京大学） 霜垣 幸浩 氏
  14:05〜14:50	「SiCVDプロセスにおける超微粒子生成の反応シミュレーション」
  	（東京大学） 越　光男 氏
  	SiCVDプロセスでは条件によりSiナノクラスターが生成する場合があるが、モーメント法をもちいて気相反応からのクラスター生成過程のシミュレーションを行った結果を報告する。
  14:50〜15:35	「Siエピタキシャル成長の化学反応速度シミュレーションとプロセス設計」
  	（横浜国立大学） 羽深　等 氏
  	SiHCl3-H2系半導体シリコンエピタキシャル成長に関わる化学反応（成膜・ドーピング）モデルを紹介する。併せて、リアクタ内の成膜と輸送現象を解析し、成膜プロセス条件を検討した事例を紹介する。
  15:50〜16:35	「炭素CVDにおける気相および表面反応シミュレーション」
  	（九州大学） 則永 行庸 氏
  	気相反応に関する詳細化学反応速度モデルおよび水素の阻害効果を考慮した炭素析出反応速度モデルを用いた低級炭化水素を原料とする炭素CVDシミュレーションを紹介する。
  16:35〜17:20	「気相中のパーティクル生成及び基板近傍の壁面で生じる副生成反応（寄生成長）を考慮したCVDプロセスシミュレーション」
  	（アテナシス） 池田　圭 氏
  	化合物半導体製造装置メーカーでも利用されている商用ソフトウェア（CFD-ACE+ 及び，CVDSim）を利用したCVDシミュレーションを紹介する。
  17:20〜18:05	「GaNおよび関連物質のMOCVDプロセスにおける反応量子化学」
  	（京都大学） 立花 明知 氏
  	III-窒化物半導体の気相成長における素反応機構とりわけ寄生反応としての高次クラスター生成に関する量子化学計算事例を紹介する。