平成23年度CVD研究会活動記録

第53回CVD研究会「第22回夏季セミナー」

日程	平成23年8月18日(木) 13:15 〜 19日(金) 12:00
場所	奈良県社会教育センター・かつらぎの森 〒639-2135 奈良県葛城市寺口1096 Tel. 0745-69-6921　 （http://www.yado-katsuragi.com/)
共催	化学工学会反応工学部会CVD反応分科会
プログラム
8月18日(木)
13:15〜13:25	CVD研究会臨時総会
13:30〜14:30	「物理気相蒸着法によりポリエステルフィルム基板上に形成した金属・無機・有機薄膜」		東海大学 工学部機械工学科　教授　岩森 暁 氏
14:30〜15:30	「プラズマCVDにおける微結晶Si薄膜の高速成膜」		大阪大学 大学院工学研究科カネカ基盤技術協働研究所　特任准教授　外山 利彦 氏
15:30〜15:45	休憩
15:45〜16:45	「窒化物半導体のMOVPE法成長過程のシミュレーション解析」		東京理科大学 理学部応用物理学科 教授　大川 和宏 氏
16:45〜17:45	「最近の酸化物系セラミックスのCVD」		東京理科大学 理工学部工業化学科 教授　伊藤 滋 氏
18:00〜20:00	懇親会（於．かつらぎの森）
	宿泊（於．かつらぎの森）
8月19日(金)
9:00〜10:00	「熱CVD法によるグラフェンの合成とトランジスタへの応用」		産業技術総合研究所 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター　佐藤 信太郎 氏
10:00〜11:00	「CVDによるグラフェン成膜と透明電極・カーボン薄膜太陽電池」		中部大学 総合学術研究院　客員教授　梅野 正義 氏
11:00〜12:00	「無菌充填対応ホット販売用PETボトルの開発」		大日本印刷株式会社 包装事業部 包装研究所　太田 美恵 氏
12:00	解散
定員	30名
参加費	企業会員	33,000円
	個人会員	24,000円
	共催・後援団体会員(大学・国公研)	24,000円
	共催・後援団体会員(企業関係者)	42,000円
	学生	16,000円
	その他	48,000円
申込締切	平成23年 7月22日(金)
申込方法	必要事項をご記入の上，下記宛 e-mail または Fax でお申し込み下さい（できればe-mailでお願いします）。 参加費は前納といたします。送金は上記締切日までにお振込み下さい。領収書は会場にてお渡しいたします。別途請求書が必要な場合はご連絡下さい。
（参加申込先）	CVD研究会事務局　（河瀬 元明）　　 e-mail: cvdcheme.kyoto-u.ac.jp
	〒615-8510　京都市西京区京都大学桂 京都大学工学研究科化学工学専攻反応工学分野内
	Tel: 075-383-2665, Fax: 075-383-2655

第54回CVD研究会

日程	平成23年12月12日(月) 10:30 〜 17:20
場所	名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー（VBL）ベンチャーホール 〒464-8601 名古屋市千種区不老町
共催	化学工学会反応工学部会CVD反応分科会
プログラム
10:30〜11:20	「結晶性成長核からのカーボンナノチューブ・グラフェン形成とその機構」		大阪大学 精密科学・応用物理学専攻　小林 慶裕 氏
11:20〜12:10	「透明蒸着バリアフィルムについて」		東洋紡績株式会社 フィルム開発部　松田 修成 氏
12:10〜13:25	昼食
13:25〜13:40	平成23年度CVD研究会総会
13:40〜14:30	「最近の被覆切削工具について」		株式会社タンガロイ 技術本部 材料開発部　渡辺 潤 氏
14:30〜15:20	「パルスDC-PCVD法による各種硬質皮膜の金型への応用」		オリエンタルエンヂニアリング株式会社 取締役 研究開発部　河田 一喜 氏
15:20〜15:40	休憩
15:40〜16:30	「富士電機のフィルム型太陽電池」		富士電機株式会社 電子デバイス事業本部　高野 章弘 氏
16:30〜17:20	「Cu-SCFDプロセスの反応工学的解析と量産対応 − 大型反応器の概念設計」		東京大学 マテリアル工学専攻　霜垣 幸浩 氏
17:30〜19:30	懇親会（会場：フレンチレストラン「シェ･ジロー」）
参加費	企業会員	3,000円
	個人会員	3,000円
	関係学協会会員(大学・国公研)	5,000円
	関係学協会会員(企業関係者)	10,000円
	学生会員	無料
	学生	1,000円
	その他	15,000円
申込締切	平成23年11月28日(月)
（参加申込先）	CVD研究会事務局　（河瀬 元明）　　 e-mail: cvdcheme.kyoto-u.ac.jp
	〒615-8510　京都市西京区京都大学桂 京都大学工学研究科化学工学専攻反応工学分野内
	Tel: 075-383-2665, Fax: 075-383-2655

共催行事

• シンポジウム「ナノカーボン製造プロセスとエレクトロニクス応用」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会，フラーレン・ナノチューブ学会
  日程	平成23年5月20日(金)(3月15日から延期) 13:00〜16:45
  場所	東京大学山上会館　2階大会議室
  プログラム
  13:00〜13:05	開会挨拶
  13:05〜13:45	1．「eDIPS-CVD法で合成した単層カーボンナノチューブの構造と物性の制御」
  	（産総研） 斎藤　毅氏
  13:45〜14:25	2．「単層カーボンナノチューブの基板上高速成長とカスタム合成」
  	（東京大） 野田　優 氏
  14:45〜15:25	3．「カーボンナノチューブトランジスタ：成長技術とプロセス技術」
  	（名古屋大） 　大野雄高 氏
  15:25〜16:05	4．「グラフェン、カーボンナノチューブの合成とLSIへの応用」
  	（産総研，富士通研） 佐藤信太郎 氏
  16:05〜16:45	5．「カーボンナノチューブを用いたプリンテッドエレクトロニクス」
  	（早稲田大） 　竹延大志 氏
  17:00〜19:00	懇親会 (2,000円)
  【参加費】	化学工学会 CVD 反応分科会会員（2,000 円）， 化学工学会会員（4,000 円），学生（無料）， CVD 研究会会員（4,000 円），フラーレン・ナノチューブ学会会員（4,000 円）， 非会員（10,000 円）

  
  
• シンポジウム「薄膜評価・分析の基礎と最先端」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会
  日程	平成23年6月10日（金）10：30〜 18：00
  場所	京都大学 東京オフィス（品川インターシティA棟27 階）
  プログラム
  10：30 〜 11：15	1．「エピタキシャル膜の表面原子構造とin situ 観察手法」
  	（物質・材料研究機構） 大竹晃浩 氏
  11：15〜 11：40	2．「III-V化合物半導体エピタキシャル成長のin situ観察とデバイス応用」
  	（東京大学） 杉山正和 氏
  11：40〜 12：05	3．「走査型プローブ顕微鏡の最前線と解析事例」
  	（エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）） 山岡武博 氏
  13：05〜 13：50	4．「非平衡プラズマの発光分光計測の原理と実践〜電子温度，ガス温度，ラジカル密度」
  	（東京工業大学） 赤塚　洋 氏
  13：50〜 14：15	5．「プラズマプロセスモニタリング装置の最前線〜プロセス監視と膜厚計測」
  	（浜松ホトニクス（株）） 増岡英樹 氏，中野哲寿 氏
  14：15 〜 15：00	6．「光電子分光による薄膜解析：基礎から応用」
  	（東京大学） 尾嶋正治 氏
  15：00〜 15：25	7．「表面分析の最前線及び解析事例」
  	（アルバック・ファイ（株）） 星　孝弘 氏
  15：40〜 16：25	8．「エピタキシャル膜のX線，電子線による構造解析」
  	（大阪大学） 酒井　朗 氏
  16：25〜 16：50	9．「X線による薄膜の構造評価と三次元ナノ形状の解析」
  	（（株）リガク） 中野朝雄 氏
  16：50〜 17：35	10．「電子顕微鏡による薄膜の構造解析・化学分析」
  	（東京大学） 阿部英司 氏
  17：35〜 18：00	11．「電子顕微鏡の最前線と解析事例」
  	（日本電子（株）） 奥西栄治 氏
  18：20〜 19：50	懇親会
  【参加費】	化学工学会 CVD 反応分科会会員（2,000 円）， 化学工学会会員（4,000 円），学生（無料）， CVD 研究会会員（4,000 円），非会員（10,000 円）

  
  
• ミニシンポジウム「CVDの実務的課題：基板とリアクタの清浄化技術」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会
  日程	平成23年10月26日（水）13：00〜17：45
  場所	日本工業大学 神田キャンパス　多目的ホール
  プログラム
  13：00〜13：05	開会挨拶
  	横浜国立大学　羽深　等氏
  13：05〜13：45	1．「半導体製造プロセスにおける洗浄概論」
  	（富士通セミコンダクター） 佐藤俊哉 氏
  13：45〜14：15	2．「水の基礎と洗浄」
  	（栗田工業） 床嶋裕人 氏
  14:15〜14:45	3．「シリコン基板表面の表面欠陥・金属汚染除去」
  	（大阪大学・産研） 高橋昌男 氏
  14:45〜15:15	4．「4H-SiC CVD エピ成長における基板表面の清浄化技術」
  	（電中研） 土田秀一 氏
  15:35〜16:15	5．「CVDリアクタクリーニング概論」
  	（横浜国立大学） 羽深 等 氏
  16:15〜16:45	6．「半導体製造装置のドライクリーニング技術」
  	（大陽日酸） 伊崎隆一郎 氏
  16:45〜17:15	7．「CAT CVDの手法を活用した装置クリーニング技術」
  	（Selete（九州工大）） 西山岩男 氏
  17:15〜17:45	8．「ZnO CVDリアクタクリーニング技術」
  	（岩谷産業・ヘンミ計算尺） 小池国彦 氏
  【参加費】	化学工学会 CVD 反応分科会会員（2,000 円），化学工学会 CVD 反応分科会法人会員（無料）， 化学工学会正会員・法人会員（4,000 円），学生（無料）， CVD 研究会会員（4,000 円），非会員（10,000 円）

  
  
• 講習会「CVD初級講座 〜プロセス・装置 基礎解説とシミュレーションの応用〜」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会
  日程	平成23年12月6日（火）13：15〜18：50
  場所	東京大学山上会館　201・202会議室
  プログラム
  13:15〜13:20	開会挨拶
  	分科会代表　霜垣 幸浩
  13:20〜14:00	1．「CVD法の概論」
  	（東京大学） 霜垣幸浩 氏
  	CVD法の概要 CVDプロセスにおける輸送現象と化学反応のモデル化 紙と鉛筆で解くCVDプロセス
  14:00〜15:30	2．「［移動現象］CVD反応器の形状と操作」
  	（横浜国立大学） 羽深　等 氏
  	CVD装置内の熱・流れと反応（観察・計算） 種々装置の計算・解析例 基本的な操作と構造の意味
  15:30〜15:50	休憩
  15:50〜17:20	3．「［化学反応］複雑な化学反応を伴うCVD」
  	（東京大学） 杉山正和 氏
  	化合物半導体エピタキシャル成長のシミュレーション 選択成長とリアクタスケール分布のカップリング
  17:20〜18:50	4．「［今の課題］パーティクル生成・寄生成長を考慮した窒化物半導体・SiC成長シミュレーション」
  	（（株）アテナシス） 池田　圭 氏
  	窒化物半導体・SiC 成長プロセスのパーティクル生成・寄生成長 次世代（G5）量産機（Planetary・TurboDisk）の開発に向けたGaN成長シミュレーション 窒化インジウムアルミニウム（AlInN）の成長モデル
  【参加費】	化学工学会 CVD 反応分科会会員（10,000円）， 化学工学会 CVD 反応分科会法人会員（1口につき1人無料，2人目以降は10,000円）， 化学工学会正会員・法人会員（15,000円：CVD反応分科会非会員），学生（5000円）， CVD 研究会会員（15,000円），非会員（20,000円）