平成25年度CVD研究会活動記録

第57回CVD研究会「第24回夏季セミナー」

日程	平成25年8月8日（木）14：15 〜 9日（金）12：20
場所	カネカソーラーテック株式会社 兵庫県豊岡市神美台157-74 Tel. 0796-29-5500
	ひだまり 兵庫県豊岡市小島1188-8 Tel. 0796-29-6009
共催	化学工学会反応工学部会CVD反応分科会
プログラム
8月8日(木)
14:15〜16:15	カネカソーラーテック株式会社　太陽電池工場見学
16:15〜16:55	「カネカの太陽電池事業の取り組みについて」		株式会社カネカ　生産技術研究所　清水 一弘 氏
16:55〜17:45	「薄膜シリコン太陽電池の開発状況と技術課題」		産業技術総合研究所 太陽光発電工学研究センター　松井 卓矢 氏
18:00〜20:00	懇親会（於．ひだまり）
	宿泊（於．ひだまり）
8月9日(金)
8:50〜 9:40	「太陽電池素子作製用のリン拡散ソースの純化とその容器について」		ヤマナカセラダイン株式会社 團野 隆夫 氏
9:40〜10:30	「機能性薄膜・材料の低温形成技術」		奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科　准教授　石河 泰明 氏
10:30〜10:40	休憩
10:40〜11:30	「気相法炭素繊維VGCF®と用途開発」		昭和電工株式会社 先端電池材料部 大川開発センター　副センター長　森田 利夫 氏
11:30〜12:20	「DLCコーティング装置の紹介と適用事例」		神港精機株式会社　装置事業部　真空装置技術部　寺山 暢之 氏
12:20	解散
定員	30名
参加費	企業会員	33,000円
	個人会員	24,000円
	共催・後援団体会員(大学・国公研)	29,000円
	共催・後援団体会員(企業関係者)	42,000円
	学生	16,000円
	その他	48,000円
申込締切	平成25年 7月15日(月)

第58回CVD研究会

日程	平成25年12月10日(火)
会場	愛知工業大学　本山キャンパス　2F多目的室 〒464-0807　名古屋市千種区東山通1-38-1 《地下鉄本山駅4番出口すぐ》
共催	化学工学会反応工学部会CVD反応分科会
プログラム
10:30〜11:15	「カーボンナノチューブの作製：アーク法とCVD法」		名城大学材料機能工学科　　教授　安藤 義則 氏
11:15〜12:00	「GaNおよびAlN微粒子の気相合成」		静岡大学 創造科学技術大学院　　教授　原 和彦 氏
12:00〜13:15	昼食
13:15〜13:30	平成25年度CVD研究会総会
13:30〜14:15	「非真空プロセス太陽電池の為の成膜技術」		兵庫県立大学 電気工学専攻　　准教授　伊藤 省吾 氏
14:15〜15:00	「炭素繊維複合材料（CFRP）とその用途展開」		東レ株式会社 オートモーティブセンター　　所長　山中 亨 氏
15:00〜15:15	休憩
15:15〜6:00	「電気二重層キャパシタの現状と次世代キャパシタ」		日本ケミコン株式会社　基礎研究センター　　センター長　玉光 賢次 氏
16:00〜16:45	「PCVD法での成膜による水素、窒素含有量の異なるDLCの構造解析とそのトライボロジー特性」		三恵技研工業　山本 修二 氏
16:45〜17:30	「気相プロセスを用いたはっ水・超はっ水処理」		芝浦工業大学 工学部材料工学科　准教授　石崎 貴裕 氏
17:45〜19:30	懇親会（会場：愛知工業大学　本山キャンパス）
参加費	CVD研究会会員	3,000円
	関係学協会会員(大学・国公研)	5,000円
	関係学協会会員(企業関係者)	10,000円
	学生	1,000円
	その他	15,000円
申込締切	平成25年11月30日(土)

共催行事

• CVD反応分科会主催 第2回講習会「CVDプロセス速度論の基礎と実際」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会
  日程	平成25年1月21日(月) 10:30〜19:30
  場所	東京大学山上会館大会議室
  開催趣旨	CVD（Chemical Vapor Deposition，化学気相堆積法）は，半導体デバイス用各種薄膜やセラミックスコーティングなどの分野において幅広く使われている技術であり，平滑な膜を得るだけでなく，微細なナノ構造の内部にまでコーティングできる技術として，次世代デバイス開発には必須のものとなっております。このように，CVD プロセスの持っているポテンシャルは高いのですが，それを最適化して使用するためには，試行錯誤的な条件出しでは効率が悪く，結果として CVD プロセスが利用しにくいものと捉えられてしまうことがあるようです。 本講習会では，CVD の製膜速度や膜組成などを決定する速度論の基礎を学習するとともに，実際の装置開発・プロセス開発の実例を学ぶことによって，効率的な CVD プロセス開発ができるようになることを目標としています。
  10:30〜11:15	「CVDプロセス概論」
  	（東京大学） 霜垣 幸浩 氏
  	CVDプロセスを検討する上で考慮すべき特徴，長所・短所について概説するとともに，速度論を検討する上での重要な基礎事項や効率的な実験計画について説明を行います。 CVD法の特徴，長所と短所，応用例 CVD法の応用例，ALDとCVD CVDプロセス速度論の基礎―何が速度を支配するのか，効率的な実験計画
  11:15〜12:00	「CVD原料選択と供給技術の実際」
  	（気相成長） 町田 英明 氏
  	CVDでは，原料である有機金属を反応室に輸送することは重要な要素の一つであります。原料の蒸気圧を正確に知る事と適切な揮発供給手段を選択する必要があります。本講義では原料の概要と問題点の実例を含めた供給技術の実際をお話します。 有機金属原料のタイプと揮発性 空気中不安定な化合物の蒸気圧測定方法 様々な揮発供給方法 揮発輸送時の問題点の実例と対処
  12:00〜13:00	昼休み
  13:00〜14:30	「CVD速度論の基礎」
  	（京都大学） 河瀬 元明 氏
  	CVDプロセスの理解と設計，数値シミュレーションのためにはCVD装置内で進行する気相反応と表面反応の反応速度式が必要となります。本講義では，実験結果を解析し，CVD反応の速度式を定める上で必要となる反応工学の理論を反応速度解析の実例を交えて説明します。 気相反応と表面反応 製膜速度の温度・濃度依存性 流れと拡散の役割 物質移動抵抗の影響
  14:30〜14:45	Coffee Break
  14:45〜16:15	「CVDプロセスモデリングと解析技術の基礎」
  	（東京大学） 霜垣 幸浩 氏
  	実際のCVDプロセスでは，単に原料が直接基板上で反応するだけでなく，気相中で分解生成する活性なラジカルなども製膜に寄与しています。例えば，SiH4からSiが析出する比較的シンプルな反応においても，気相での反応は複雑で，数百の素反応が複雑に関与しているという報告もあります。このような複雑なCVDプロセスを理解する上で重要なのが，モデリングです。本講義では，複雑な反応をモデル化して考える手法と，CVD速度解析の実際について説明します。 CVD反応の素反応モデルと総括反応モデル 反応速度の推算と検証 実験的解析技術―円管型反応器解析，ステップカバレッジ解析，Micro/Macro-Cavity法
  16:15〜16:30	Coffee Break
  16:30〜17:15	「シミュレーション技術を用いたエッチング速度解析の実際」
  	（アルバック） 三浦 豊 氏
  	ClF3ガスを用いた4H-SiCエッチングにおいて，表面反応を含む熱流体シミュレーションを用いて得られた実験データを解析し，シリコン面カーボン面それぞれの反応速度定数を決定し，活性化エネルギーを求めました。本講義ではその考え方，計算手順と結果について解説します。 シミュレーションを用いた反応速度解析の考え方 シミュレーションに必要なデータ準備と計算手順 計算結果の解釈と反応速度定数の決定
  17:15〜18:00	「シミュレーションを活用した量産対応CVD装置開発の実際」
  	（東京エレクトロン） 川上 雅人 氏
  	量産対応CVD装置は反応シミュレーションを活用することで，シャワーヘッドとウエーハのギャップなど装置パラメータを決めることができる。量産装置を対象とした反応モデルの構築法とその利用を実例を含めてお話しします。 Ru-CVDに見られる表面反応モデルの構築とその利用 HfO2-CVDの気相反応モデルの構築とその問題点 ポリイミド蒸着重合の均一性シミュレーション
  18:00〜19:30	講師インタビュー（山上会館地下001号室）

  
  
• CVD反応分科会主催第18回シンポジウム「各種透明導電膜の特徴と製膜技術」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会
  日程	平成25年2月26日(火) 13:00〜18:00
  場所	文京シビックセンター26階 スカイホール
  開催趣旨	透明導電膜は，電気と光を扱うデバイスでは不可欠な部材となっており，その進展により新たな付加価値を持つ種々のデバイスが実現しています。タッチパネル・タッチスクリーン等の透明なデバイス，フラットパネルディスプレイや面発光型照明等の電気から光を作るデバイス，そして太陽電池という光から電気を作るデバイスを支えています。ITOが代表格ですが，Inは希少元素であり，元素戦略の観点から多様な材料が探索・開発されてきました。また，高透過率，低シート抵抗という基本機能に加え，柔軟性，耐摩耗性，安定性などの付加価値もデバイスによっては重要となっています。今回は，無機酸化物，貴金属，有機導電体，およびナノカーボンと特徴の異なる材料の産学の専門家にお願いして，最新のトピックスをご紹介頂きます。更に，これらの材料を実用的に作りこむプロセスについてもご紹介頂きます。物性の大きく異なる材料を横並びで比較することで，特徴を明確に理解し，また共通する本質の理解を深める機会になれば幸いです。
  13:00〜13:05	開会あいさつ
  	(早稲田大学) 野田 優
  13:05〜14:00	「酸化物透明導電膜ITO，AZOについての最新動向」
  	（名古屋大学・(有)アーステック） 小島 啓安 氏
  14:00〜14:40	「LPCVDによる高移動度フッ素ドープ酸化スズの開発」
  	（旭硝子） 一色 眞誠 氏
  14:40〜15:00	休憩
  15:00〜15:40	「Mg水酸化物構造をもつ新規の透明導電材料」
  	（東海大学） 本城 貴充 氏
  15:40〜16:20	「Agナノワイヤを用いた透明導電膜の開発」
  	（大阪大学） 菅沼 克昭 氏
  16:20〜16:40	休憩
  16:40〜17:20	「PEDOT/PSSの高導電化と透明導電膜への応用」
  	（山梨大学） 奥崎 秀典 氏
  17:20〜18:00	「２層カーボンナノチューブ透明導電フィルム」
  	（東レ） 佐藤 謙一 氏
  18:00〜19:30	懇親会（参加費 一般：2,000円，学生：1,000円）

  
  
• CVD反応分科会主催第19回シンポジウム「薄膜成長における構造形成と機能制御」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会
  日程	平成25年5月29日(水) 13:00〜18:00
  場所	東京大学武田ホール
  開催趣旨	薄膜を形成するにあたっては，結晶・非結晶の他に結晶多形，配向，微細構造などの選択・設計が必要であり，その種類と組合せは物質，用途により様々です。そこで，物質としてシリコン，ダイヤモンド，炭化珪素，構造として結晶性薄膜を対象とした様々な手法として，熱，プラズマ，エアロゾル，などを活用したCVD技術，について学術・産業において先端分野で活躍されている講師をお招きして，薄膜において原子・分子が縦横に規則的に配列・配向された構造の形成と機能制御などについて議論を深めたいと考えます。
  13:00〜13:05	開会あいさつ
  13:05〜14:00	基調講演「エピタキシャル成長における構造・機能制御」
  	（東京大学名誉教授） 西永 頌 氏
  14:00〜14:40	「グラフェンのエピタキシャルCVD成長とその展開」
  	（九州大先導物質化学研究所） 吾郷 浩樹 氏
  14:40〜15:00	休憩
  15:00〜15:40	「メゾプラズマCVDによるナノクラスター支援高速エピタキシャル成長」
  	（東京大学） 神原 淳 氏
  15:40〜16:20	「AD（エアロゾルデポジッション）法による常温衝撃固化現象と実用化への取り組み」
  	（産業技術総合研究所） 明渡 純 氏
  16:20〜16:40	休憩
  16:40〜17:20	「ダイヤモンド薄膜形成技術」
  	（コーンズテクノロジー） 井上 英男 氏
  17:20〜18:00	「パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハの生産技術開発」
  	（昭和電工） 百瀬　賢治 氏
  18:00〜19:30	懇親会（参加費 一般：2,000円，学生：1,000円）

  
  
• CVD反応分科会主催第20回シンポジウム「データベースの構築と活用」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会
  協賛	応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会，原子分子データ応用フォーラム
  日程	平成25年9月10日(火) 13:20〜18:10
  場所	東京大学山上会館２階大会議室
  開催趣旨	CVDやエッチングの実験結果を解釈し，数値的な見積りやシミュレーションを行う際には，様々な数値データが必要となります。例えば，原子分子の物性値や輸送係数，反応速度定数や衝突断面積といったデータベースは，比較的揃っているものから推算も難しいものまで様々です。今回，プラズマプロセスや超臨界を含む熱流体のシミュレーションを行う上で必要となるデータベースにお詳しい講師をお招きし，現在どのようなデータベース・推算法が知られているのか，これからどのように活用すれば良いのかを考える機会を持ちたいと考えます。
  13:20〜14:10	基調講演「原子・分子データベースのプラズマシミュレーションにおける活用御」
  	（慶應義塾大学） 真壁 利明 氏
  14:10〜14:50	「プロセスプラズマの反応モデル構築」
  	（東京エレクトロン） 康 松潤 氏
  14:50〜15:05	休憩
  15:05〜15:35	「meVからkeVの衝突エネルギー領域における電子・原子・分子衝突素過程の実験的研究」
  	（首都大学東京） 田沼 肇 氏
  15:35〜16:05	「核融合研における原子分子数値データベース活動と，世界における原子分子数値データベースの最近の動向」
  	（核融合科学研究所） 村上 泉 氏
  16:05〜16:20	休憩
  16:20〜17:00	「超臨界二酸化炭素中における金属錯体の拡散係数の測定と相関」
  	（中央大学） 船造 俊孝 氏
  17:00〜17:40	「超臨界CO2中での金属錯体の溶解および熱分解の測定」
  	（産業技術総合研究所） 依田 智 氏
  17:40〜18:10	「気相系における平衡・輸送物性の推算」
  	（東京工業大学） 下山 裕介 氏
  18:10〜19:30	懇親会（参加費 一般：2,000円，学生：1,000円）

  
  
• CVD反応分科会主催第21回シンポジウム「ALDプロセスの基礎と応用」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会
  日程	平成25年11月19日(火) 13:00〜17:50
  場所	東京大学山上会館２階大会議室
  開催趣旨	ALD（Atomic Layer Deposition）は，原料ガスと反応ガスの交互供給により，原子層形成を繰り返す手法であり，優れた膜厚均一性と膜厚制御性，ならびに，低温合成可能であることなどから，CMOSデバイスの高誘電率ゲート絶縁膜形成，メモリキャパシタ絶縁層・電極形成などに実用が進んでいます。また，原料ガス供給ノズルと反応ガス供給ノズルを交互に配置し，基板を移動させるロール・ツー・ロールなどの手法により大面積コーティングへの応用なども検討されています。原料ガスの化学反応により薄膜を形成するという点では，CVD法に共通する点も数多くありますが，一方，ガス供給シーケンスの最適化など検討すべき事項が多いのもALDに固有の課題かと思われます。さらには，吸着や反応などの過程を分離しているため，表面反応機構を検討するうえで有用な情報を提供する側面もあり，基礎的な検討から応用に至るまで，興味深い薄膜形成手法であると言えます。来年6月には米国真空学会（American Vacuum Society，AVS）主催のALD国際学会が京都で開催されることを受け，国内でALDプロセスの研究に携わっておられる方を一同に会し，最新の研究成果報告と議論をする場として本シンポジウムを企画しました。関連の皆様のご参加をお待ち申し上げます。
  13:00〜13:40	「ALDプロセスの理想と現実―ULSI多層配線用金属膜合成を例に」
  	（東京大学） 霜垣 幸浩 氏
  13:40〜14:20	「固体表面への分子吸着・反応過程に関する第一原理シミュレーション」
  	（大阪大学） 森川 良忠 氏
  14:20〜14:35	休憩
  14:35〜15:00	「ALDプロセス用材料開発」
  	（エア・リキード・ラボラトリーズ） ガティノ 諭子 氏
  15:00〜15:30	「ALD法によるHigher-k絶縁膜の低温作製とCMOSへの展開」
  	（NIMS） 生田目 俊秀 氏
  15:30〜16:00	「ALDによるZnO/Al2O3の合成とTFT応用」
  	（奈良先端科技大） 石河 泰明 氏
  16:00〜16:20	休憩
  16:20〜16:50	「Al2O3/SiO2界面の分子動力学シミュレーション」
  	（早稲田大学） 渡邉 孝信 氏
  16:50〜17:20	「成膜装置でのALD Process Tuning手法に関して」
  	（東京エレクトロン） 早瀬 文朗 氏
  17:20〜17:50	「Plasma-enhanced ALDによる低温SiO2膜の成長メカニズム」
  	（日本ＡＳＭ） 小林 明子 氏
  18:00〜19:30	懇親会（参加費 一般：2,000円，学生：1,000円）