平成27年CVD研究会活動記録

第61回CVD研究会「第26回夏季セミナー」

日程	平成27年8月27日(木) 13:15 〜 28日(金) 12:10
会場	石川県青少年総合研修センター ユースパルいしかわ（金沢市） （金沢駅-会場間の分乗タクシーを用意します）
共催	化学工学会反応工学部会CVD反応分科会
協賛	近畿化学協会
講演予定
1日目 8/27(木)
13:20〜14:20	「液体シリコンを用いたCVD製膜」	下田 達也 氏(北陸先端科学技術大学院大学 マテリアルサイエンス研究科 教授)
14:20〜15:20	「ALD成膜技術と応用」	服部 望 氏(三井造船株式会社 技術開発本部)
15:40〜16:40	「大気圧プラズマCVD法を用いたSi系薄膜形成と応用」	垣内 弘章 氏(大阪大学　大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻 准教授)
16:40〜17:40	「神戸製鋼のロールトゥーロールプラズマCVD」	沖本 忠雄 氏(株式会社神戸製鋼所 機械事業部門 主任部員)
2日目 8/28(金)
9:00〜10:00	「高熱流プラズマを用いた機能性ナノ粒子の大量生成」	田中 康規 氏(金沢大学 理工研究域 電子情報学系 兼 サステナブルエネルギー研究センター 教授)
10:10〜11:10	「DLCバリアボトルとその諸特性」	柳原 英人 氏(三菱樹脂株式会社　総合研究所)
11:10〜12:10	「a-Si:H/c-Siヘテロ界面構造評価：陽電子消滅データに基づく分光エリプソメトリー解析の適用」	松木 伸行 氏(神奈川大学　工学部　電気電子情報工学科　准教授)
定員	35名
参加費	企業会員	33,000円
	個人会員	24,000円
	共催・後援団体会員(大学・国公研)	29,000円
	共催・後援団体会員(企業関係者)	42,000円
	学生	16,000円
	その他	48,000円

北陸新幹線の開通にあわせて，初めて金沢での開催としました。定員が埋まる参加者を得て，盛会となりました。研修センターでの宿泊でしたので，まさに合宿のようでしたが，有意義な交流ができたと好評をいただきました。

第62回CVD研究会

日程	平成27年12月8日(火) 10:30〜18:00
会場	愛知工業大学本山キャンパス（〒464-0807 名古屋市千種区東山通1-38-1）
共催	化学工学会反応工学部会CVD反応分科会
協賛	近畿化学協会（予定）
講演プログラム
10:30〜11:30	「ホットワイヤCVD法によるカーボンナノウォールの作製」	伊藤 貴司 氏(岐阜大学　工学部　電気電子・情報工学科　准教授)
11:30〜12:30	「アセチレンブラックの電気化学分野(LiB)への展開と将来展望について」	横田 博 氏(デンカ株式会社)
13:50〜14:05	平成27年度CVD研究会総会
14:05〜15:05	「パイロゾルプロセスの紹介」	山田 茂男 氏(日本曹達株式会社)
15:05〜16:05	「スパッタ法による(K,Na)NbO3非鉛圧電薄膜の開発」	堀切 文正 氏(株式会社サイオクス)
16:20〜17:10	「ナノ結晶シリコンカーバイドの低温CVDとヘテロ接合型結晶シリコン太陽電池への応用」	宮島 晋介 氏(東京工業大学 大学院理工学研究科 准教授)
17:10〜18:00	「カルコゲナイド系層状物質の原子層形成と応用」	上野 啓司 氏(埼玉大学 大学院理工学研究科 准教授)
17:45〜20:30	懇親会（会場：愛知工業大学　本山キャンパス）

　 　 　 　 　 　 　 　

参加費	CVD研究会会員	3,000円
	関係学協会会員(大学・国公研)	5,000円
	関係学協会会員(企業関係者)	10,000円
	学生	1,000円
	その他	15,000円
懇親会費	5,000円

共催行事

• CVD反応分科会主催第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解（ノーベル賞受賞記念）」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会, Cat-CVD 研究会
  日程	平成27年5月22日(金) 13:00〜17:50
  場所	早稲田大学 西早稲田キャンパス 62W号館 大会議室
  開催趣旨	近年、窒化物半導体に関する発展はめまぐるしく、基礎から応用に至るまで精力的に展開されている。 2014年ノーベル物理学賞においても、名城大の赤崎勇終身教授、名古屋大の天野浩教授、米カリフォルニア大サンタバーバラ校の中村修二教授が受賞されたのは、周知の事実です。 そこで本シンポジウムでは、その場観察による単結晶エピ成長から最新の成長装置まで、この分野において最先端でご活躍されている講師をお招きして、議論を深めたいと考えます。
  13:00〜13:05	開会あいさつ
  13:05〜14:00	基調講演「窒化物半導体MOVPEのメカニズム：リアクタスケールから基板表面までのマルチスケールな輸送・反応」
  	（東京大学） 杉山 正和 氏
  	窒化物半導体MOVPEはGaAs系よりも高温で行われ，流れが自然対流の影響を受けやすく，気相粉体生成が進みやすいなどの特長がある。また，反応器内の結晶成長速度や表面モフォロジーの分布も，これらの影響を受ける。さらに３次元成長時の結晶面の出現なども含めて統一的に理解し，MOVPE反応器中の現象を直観的に把握するための考え方を追求したい。
  14:00〜14:40	「InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構」
  	（名古屋大学） 本田 善央 氏
  	本講演では，InGaN結晶成長において，レーザ光の吸収と散乱を用いたその場観察により，InGaN表面でのInの固相への取込，In偏析などの成長機構に関する系統的な測定技術について説明する。
  14:40〜14:55	休憩
  14:55〜15:35	「窒化物半導体の窒素極性面成長におけるin situ表面反射率測定」
  	（東北大学） 谷川 智之 氏
  	本講演では，窒化物半導体デバイスに従来から用いられているIII族極性面とは反対方向にあたる窒素極性面の結晶成長について，in situ表面反射率から理解される成長機構について説明する。
  15:35〜16:15	「パルス励起堆積法による窒化物薄膜成長の特徴」
  	（東京大学） 藤岡 洋 氏
  	パルス励起堆積法は窒化物半導体エピタキシャル層を低温で安価に製膜できる手法として最近注目を集めている。本講演ではパルス励起堆積法の成長メカニズムと成長した膜の特徴、さらには素子応用について説明する。
  16:15〜16:30	休憩
  16:30〜17:10	「メッシュ状加熱金属触媒体を用いたCat-CVD法によるSi基板上へのGaN薄膜成長」
  	（長岡技術科学大学） 安井 寛治 氏
  	加熱したメッシュ状タングステンを用いてアンモニアを高効率に分解，ラジカルを生成することで低いV/III原料ガス比でのGaN薄膜の成長を行った。本講演ではこの技術を用いたSi基板上へのGaN結晶薄膜の成長について報告する。
  17:10〜17:50	「アンモニアの加熱金属触媒による分解過程と後続気相反応過程」
  	（静岡大学） 梅本 宏信 氏
  	気相反応の多くは不対電子を持つフリーラジカルを介して進行する。本講演では，アンモニアの加熱金属触媒による分解でどのようなラジカルが発生し，そのラジカルが気相中でどのような反応をするかについて実験と理論計算の結果を踏まえて解説する。
  17:50〜19:30	懇親会（62W号館 中会議室）

• CVD反応分科会第4回講演会・分科会大会 (東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD研究会，Cat-CVD研究会
  日程	平成27年6月23日（火） 14:00〜15:10
  場所	早稲田大学 西早稲田キャンパス 62W号館 中会議室（最寄駅：地下鉄 副都心線 西早稲田駅） アクセス
  プログラム
  14:00〜14:10	CVD反応分科会大会（旧名：分科会総会）
  14:10〜15:10	講演「デバイス微細化と製造装置の進化」
  	（東京エレクトロン山梨） 多田 國弘 氏
  【参加費】	化学工学会 CVD 反応分科会会員（無料）， CVD研究会会員・Cat-CVD研究会会員（無料），非会員（1,000円），学生（無料）

  
  
• CVD反応分科会主催第24回シンポジウム「パワーデバイス」(東京)
  

  主催	化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会
  共催	CVD 研究会, Cat-CVD 研究会
  日程	平成27年12月1日（火) 13:00〜17:50
  場所	早稲田大学 西早稲田キャンパス 55号館S棟2階第三会議室
  開催趣旨	省電力に必須の解決策としてパワーデバイスが用いられています。その材料として，これまではシリコンが用いられ，それに続いて炭化珪素，窒化ガリウムなどの開発が広く進められています。いずれも薄膜が主として用いられており，CVDプロセスが重要な要素技術となっています。今回のシンポジウムでは，パワーデバイス動作原理やデバイス構造などの基礎を再認識し，製造プロセス（主としてCVDエピタキシャル成長)について理解を深めた上で，それぞれの材料ごとの課題をCVDプロセスの立場から深く議論します。それにより，パワーデバイスの将来を展望したいと考えます。多数のご参加をお待ち申し上げております。 多数のご参加をお待ち申し上げております。
  13:00〜13:05	開会あいさつ
  13:05〜14:00	基調講演「パワーデバイスの構造と材料・製膜技術の展開」
  	（筑波大学） 岩室 憲幸 氏
  	パワーデバイスは，電気自動車の実用化などにより，その重要性を増している。本講演では，パワーデバイスの構造と動 作原理などの基礎を概説し，その材料・製膜技術の今後の展開について述べる。
  14:00〜14:40	「高電圧SiC素子に向けた大口径，高品質4H-SiCエピタキシャル成長技術の開発」
  	（電力中央研究所） 土田 秀一 氏
  	本講演では，高速製膜を可能とする SiC エピ成長装置の基本コンセプト，構造の特徴，製膜の機構と効果について説明す る。特に，基板の回転を高速にすることにより実現される結晶成長の特徴から，分かり易く説明する。
  14:40〜14:55	休憩
  14:55〜15:35	「SiCエピタキシャル成長における低欠陥密度化・高速化技術の開発」
  	（三菱電機株式会社） 田中 貴規 氏
  	本講演では SiC エピ成長膜の高品質化，及び成長速度の高速化技術について述べる。エピ成長による転位の変換技術，及 び Cl 含有ガスの添加と減圧化による高速成長技術を中心に，そのメカニズムを含め議論する。
  15:35〜16:15	「酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長」
  	（東北大学） 秩父 重英 氏
  	超臨界アンモニア中で窒化物結晶を晶析させるアモノサーマル法は，水晶や酸化亜鉛の大型バルク単結晶の製品化に成功 した水熱合成法のアンモニア版といえる。我々は，将来的に 6 インチ径の無歪・極低転位密度 GaN ウエハを安価に大量生産することが可能な成長条件での結晶育成に成功したので，これまでの経緯と共に報告する。
  16:15〜16:30	休憩
  16:30〜17:10	「MOCVDにおけるパワーデバイス用GaN-on-Si成長技術」
  	（日本電信電話株式会社） 渡邉 則之 氏
  	本講演では，GaN 系パワーデバイスへ広く応用されている Si 基板上 GaN 系エピタキシャル結晶の成長技術について説明する。GaN の特性，GaN-on-Si を実現するための技術的課題とその解決手法を述べ，さらに，最近の展開について説明する。
  17:10〜17:50	「パワーデバイスにおけるシリコン結晶・薄膜の進展と展望」
  	（千葉工業大学） 山本 秀和 氏
  	本講演では，パワーデバイス用シリコン結晶に関して，デバイス構造を実現してきた歴史と進展について説明する。特に， エピタキシャルウェーハに関して，最新の話題と将来展望について説明する。
  17:50〜19:30	懇親会（早稲田生協カフェテリア）