| 日程 | 平成28年8月18日(木) 13:15 〜 19日(金) 12:00 | ||
| 会場 | ひょうご共済会館（神戸市） | ||
| 共催 | 化学工学会反応工学部会CVD反応分科会 | ||
| 協賛 | 近畿化学協会 | ||
| 後援 | 近畿経済産業局，表面技術協会，日本金属学会 | ||
| 1日目 8/18(木) | |||
| 「デュアルマイクロ波プラズマ源CVDにより作製した窒化炭素膜の評価」 | 稗田 純子 氏(名古屋大学 大学院工学研究科マテリアル理工学専攻 准教授) | ||
| 「プラズマCVD 法を利用した透明樹脂板の耐摩耗性能向上と車窓への適用」 | 小島 洋治 氏(広島県立総合技術研究所 西部工業技術センター 材料技術研究部) | ||
| 「熱電材料設計の基礎とフレキシブル熱電変換素子」 | 中村 雅一 氏(奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科教授) | ||
| 「反応性プラズマ蒸着法を用いた透明導電膜成膜および成膜解析技術」 | 北見 尚久 氏(住友重機械工業株式会社 技術研究所) | ||
| 2日目 8/19(金) | |||
| 「In-situ CVD法によるカーボンナノファイバー表面への金属のコーティングとそれに基づく複合材料の作製」 | 小川 文男 氏(立命館大学 理工学部機械工学科 助教) | ||
| 「マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド膜の成長 〜原子レベル制御から高速化、そして自立ウェハの開発へ〜」 |
徳田 規夫 氏(金沢大学 理工研究域電子情報学系 准教授) | ||
| 「最近の化合物系およびCZTS系太陽電池の高効率化に関する研究」 | 田島 伸 氏((株)豊田中央研究所) | ||
| 定員 | 35名 | ||
| 参加費 | 企業会員 | 33,000円 |
| 個人会員 | 24,000円 | |
| 共催・後援団体会員(大学・国公研) | 29,000円 | |
| 共催・後援団体会員(企業関係者) | 42,000円 | |
| 学生 | 16,000円 | |
| その他 | 48,000円 | |
| 申し込み方法 |
＝＝＝返信フォーム＝＝＝ （連絡先など，この書式でなくても結構です） 名前： 所属： 連絡先： 住所 〒 Tel Fax e-mail ＜以下，不要な項目を削除ください＞ セミナー： 出席 欠席 一部参加（ 日 ： 〜 日 ： ） 懇親会 ： 出席 欠席 宿泊（会場）： 希望する 希望しない その他（ご希望事項等） ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 上のフォームに必要事項をご記入の上，下記宛 e-mail でお申し込み下さい。 （参加申込先） CVD研究会事務局 （河瀬 元明，影山 美帆） e-mail: cvd |
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初めて神戸で開催しました。参加者は36名となりました（定員を超えましたが，宿泊者数は定員通りです）。もう一つ初めての試みで，CVD装置用の製品展示を行いました。
| 日程 | 平成28年12月15日(木) 10:30〜17:30（以前掲載していた予定日から変更になっていますのでご注意ください） | ||
| 会場 | キャンパスプラザ京都 4階 第2講義室，(マイクロバスで移動して)株式会社堀場エステック本社工場 | ||
| 共催 | 化学工学会反応工学部会CVD反応分科会 | ||
| 協賛 | 近畿化学協会，表面技術協会，日本金属学会 | ||
| 後援 | 近畿経済産業局 | ||
| 「窒化物半導体の結晶成長と物性評価・デバイス応用」 | 船戸 充 氏(京都大学大学院工学研究科 電子工学専攻 准教授) | ||
| 「医療機器部材向け機能性表面処理」 | 三木 真哉 氏(トーカロ株式会社 溶射技術開発研究所) | ||
| 平成28年度CVD研究会総会 | |||
| 「超微細シリコンナノ構造の作製と熱電素子への応用」 | 菊池 亜紀応 氏(東北大学 工学部 機械機能創生／セントラル硝子株式会社) | ||
| 「CVD法で作製する水素分離シリカ膜の細孔径制御」 | 赤松 憲樹 氏(工学院大学先進工学部環境化学科 准教授) | ||
| 「切削工具分野における表面処理技術」 | 素花 章 氏(三菱マテリアル株式会社 加工事業カンパニー) | ||
| 株式会社堀場エステック 本社工場見学会 | ・「株式会社堀場エステック流量管理体制及び、実ガス（実液）測定方法」 ・株式会社堀場エステック本社工場見学 ・株式会社堀場製作所 HORIBA最先端技術開発センター見学 |
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| 技術交流会 | |||
| 参加費（予定） | CVD研究会会員 | 3,000円 |
| 関係学協会会員(大学・国公研) | 5,000円 | |
| 関係学協会会員(企業関係者) | 10,000円 | |
| 学生 | 1,000円 | |
| その他 | 15,000円 |
珍しく見学会付きの企画でした。
| 主催 | 化学工学会反応工学部会 CVD 反応分科会 |
| 共催 | CVD 研究会 |
| 日程 | 平成28年3月17日（木) 14:00〜16:00 |
| 場所 | 東京大学本郷キャンパス 工学部４号館４２講義室（419号室） |
| 「Si基板上厚膜GaN成長における歪み制御およびデバイス応用」 | |
| 講師：ALLOS Semiconductors GmbH，西川 敦 博士 | |
| 開催趣旨 | |
GaNはLED・パワーデバイスの結晶層として幅広く研究されていますが，とくに安価で大面積なSi基板上の成長は今後のキーテクノロジーとして大きな注目を集めています。今回，世界にさきがけてデバイス品質の GaN on Si成長を成功させてきたドイツの AZZURRO Semiconductors にて研究開発の中心を担っていた西川 敦 氏 に講演いただく機会を得ました。格子不整合のみならず熱膨張係数の差による結晶層のクラック防止など，薄膜形成技術として大変興味深い技術を多く語っていただきます。 |
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| 講演要旨 | |
GaNは青色及び白色発光デバイスのみならず，パワーデバイスとしても応用が期待されている。とくに安価で大面積基板が利用できるSi基板上GaN（GaN-on-Si）は結晶成長及び歪み制御に多くの困難が存在したが，10数年にわたる研究開発を経て実用化が目前となっている。本講演では，困難を乗り越える鍵となる結晶成長手法，歪み制御及びデバイス構造について議論する。 |
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| 参加費 | 無料 |
cvd.jpn.org