平成30年CVD研究会活動記録
第67回CVD研究会「第29回夏季セミナー」
| 日程 | 平成30年8月7日(火)13：20〜8日(水)正午 |
| 会場 | ホテルリガーレ春日野（奈良市法蓮町）
JR奈良駅よりシャトルバスを手配します。13時出発。車でお越しの方は駐車場の利用が可能です。 |
| 共催 | 化学工学会反応工学部会CVD反応分科会 |
| 協賛 | 化学工学会，近畿化学協会，表面技術協会，日本金属学会 |
| 後援 | 近畿経済産業局 |
| 講演プログラム |
|
|
| 1日目 8/7(火) |
|
| 13:20〜14:20 | 「切削工具用コーティング技術の進化」 |
福井 治世 氏(住友電工ハードメタル株式会社) |
| 14:20〜15:20 | 「大気圧プラズマCVD法によるシリカ膜の製膜とガス分離への応用」 |
長澤 寛規 氏(広島大学 大学院工学研究科 助教) |
| 15:40〜16:40 | 「発電用ガスタービン部品のメンテナンスに関する材料技術」 |
齊藤 大蔵 氏(東芝エネルギーシステムズ株式会社) |
| 16:40〜17:40 | 「炭化水素熱分解へのTabulated chemistryの適用とCFDへの実装」 |
松下 洋介 氏(東北大学 大学院工学研究科 准教授) |
| 2日目 8/8(水) |
|
| 8:30〜9:30 | 「ペロブスカイト太陽電池の高性能化技術」 |
韓 礼元 氏(物質・材料研究機構 技術開発・共用部門) |
| 9:50〜9:50 | 【話題提供】「太陽電池用ペロブスカイト薄膜のCVDプロセスの開発」 |
河瀬 元明 氏(京都大学 大学院工学研究科 教授) |
| 10:00〜11:00 | 「MVD® (Molecular Vapor Deposition) 装置による各種機能膜の成膜」 |
藤村 剛 氏(SPPテクノロジーズ株式会社) |
| 11:00〜12:00 | 「二次元材料のエレクトロニクス応用」 |
佐藤 信太郎 氏(株式会社富士通研究所 兼 富士通株式会社) |
| 定員 | 40名 |
| 参加費 | 企業会員 | 33,000円 |
| 個人会員 | 24,000円 |
| 共催・協賛団体会員(大学・国公研) | 29,000円 |
| 共催・協賛団体会員(企業関係者) | 42,000円 |
| 学生 | 16,000円 |
| その他 | 48,000円 |
| 申し込み方法 |
＝＝＝返信フォーム＝＝＝
（連絡先など，この書式でなくても結構です）
名前：
所属：
連絡先： 住所 〒
Tel
Fax
e-mail
＜以下，不要な項目を削除ください＞
セミナー： 出席 欠席 一部参加（ 日 ： 〜 日 ： ）
懇親会 ： 出席 欠席
シャトルバス： 利用する 利用しない
宿泊（会場）： 希望する 希望しない
その他（ご希望事項等）
＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
上のフォームに必要事項をご記入の上，下記宛 e-mail でお申し込み下さい。
（参加申込先）
CVD研究会事務局 （河瀬 元明，影山 美帆）
e-mail: cvd cheme.kyoto-u.ac.jp
〒615-8510 京都市西京区京都大学桂
京都大学大学院工学研究科化学工学専攻
Tel： 075-383-2663, Fax： 075-383-2653
|
例年になく暑い夏でしたが，夏季セミナーの二日間は過ごしやすい気温でした。参加者は36名となりました。
CVD研究会会長からの話題提供も行いました。バラエティーに富んだ内容で，本質的な話が多く，好評でした。
第68回CVD研究会
| 日程 | 平成30年12月11日(火) 10：30 〜 19：00 |
| 会場 | キャンパスプラザ京都第3講義室（4F）（〒600-8216 京都市下京区西洞院通塩小路下る東塩小路町939＜京都駅前＞） |
| 共催 | 化学工学会反応工学部会CVD反応分科会 |
| 協賛 | 応用物理学会，近畿化学協会，表面技術協会，日本金属学会 |
| 後援 | 近畿経済産業局 |
| 10:30〜11:20 | 「CVD合成した原子層材料の機能化」 |
竹延 大志 氏(名古屋大学 大学院工学研究科応用物理学専攻 教授) |
| 11:20〜12:10 | 「ミスト流を利用したCVDプロセスにおける機能膜形成メカニズム」 |
川原村 敏幸 氏(高知工科大学 総合研究所 准教授) |
| 13:30〜13:45 | 平成30年度CVD研究会総会 |
| 13:45〜14:35 | 「エコフレンドリーで革新的なめっき代替クロムドライコーティング技術CROMATIPIC」 |
滝沢 正明 氏(IHIハウザーテクノコーティング日本支店) |
| 14:35〜15:25 | 「三次元NAND型フラッシュメモリのプロセス技術動向」 |
岩澤 和明 氏(東京エレクトロン株式会社) |
| 15:35〜16:25 | 「フレキシブル有機ELにおける現状と課題
〜 水分侵入を防ぐデバイス構造の研究 〜」 |
硯里 善幸 氏(山形大学 有機エレクトロニクスイノベーションセンター 准教授) |
| 16:25〜17:15 | 「シリコン太陽電池におけるCVDプロセスとデバイス特性」 |
布村 正太 氏(産業技術総合研究所) |
| 17:45〜19:30 | 技術交流会（会場：ITALIAN QUATRO 京都駅前店） |
フレキシブル有機EL照明，ディスプレイはCVDで作製されているわけではありませんが，今後求められる技術としてCVDが挙がりました。参加者は36名でした。(偶然夏の参加者数と同じ)
共催行事
-
| 主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会 |
| 共催 | CVD 研究会，Cat-CVD 研究会 |
| 日程 | 平成30年2月15日（木) 13:00〜18:10 (12:30 受付開始) |
| 場所 | 東京大学 本郷キャンパス 工学部4号館 3階42講義室(419号室) |
| プログラム |
|
| 13:00〜13:05 |
開会挨拶 |
|
| 13:05〜13:55 |
1．（基調講演）「清浄化を軸にして眺める製造装置の現状と展望」 |
|
（東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株)） 立花 光博 氏 |
| 13:55〜14:45 |
2．（基調講演）「半導体製造装置用クリーニングガスの現状と展望」 |
|
（セントラル硝子(株)） 八尾 章史 氏 |
| 14:45〜15:00 |
Break |
| 15:00〜15:50 |
3．（基調講演）「ULSI製造における製膜に及ぼす基板表面の影響」 |
|
（東芝メモリ(株)） 佐藤 伸良 氏 |
| 15:50〜16:30 |
4．「GaN-MOCVD装置のクリーニング技術」 |
|
（大陽日酸(株)） 山口 晃 氏 |
| 16:30〜16:45 |
Break |
| 16:45〜17:25 |
5．「炭化珪素CVD装置クリーニング法―実現の課題と展望」 |
|
（横浜国立大学） 羽深 等 氏 |
| 17:25〜18:05 |
6．「微細化に伴う半導体ウェット洗浄の課題と展望」 |
|
（(株)SCREEN セミコンダクターソリューションズ） 佐藤 雅伸 氏 |
| 18:10〜19:40 |
懇親会 (参加費 一般: 2,000円，学生: 1,000円) |
| 【参加費】 |
化学工学会 CVD 反応分科会法人会員(無料)，化学工学会 CVD 反応分科会個人会員(2,000円)，化学工学会反応工学部会会員(3,000円)，化学工学会会員(4,000円)，CVD研究会会員(4,000円)，Cat-CVD研究会会員(4,000円)，非会員(10,000円)，学生(無料) |
-
| 主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会，原子層プロセス(ALP)ワークショップ，CVD 研究会，Cat-CVD 研究会 |
| 日程 | 平成30年6月4日（月) 10:00〜17:50（9:30 受付開始） |
| 場所 | 東京大学 弥生キャンパス 弥生講堂 一条ホール |
| プログラム |
|
| 10:00〜10:05 |
開会挨拶 |
|
| 10:05〜11:05 |
1．（基調講演）「アトミックレイヤーエッチングの基礎」 |
|
（名古屋大学） 堀 勝 氏 |
| 11:05〜11:40 |
2．「アトミックレイヤーエッチングにおける表面反応解析」 |
|
（大阪大学） 唐橋 一浩 氏 |
| 11:40〜12:15 |
3．「プラズマを用いた原子層エッチング技術」 |
|
（(株)日立製作所） 栗原 優 氏 |
| 12:15〜13:30 |
Break |
| 13:30〜14:30 |
4．（基調講演）「ALD・CVDプロセスの反応工学」 |
|
（東京大学） 霜垣 幸浩 氏 |
| 14:30〜15:05 |
5．「ALD-Al2O3成長におけるAl2O3/基板界面の解析」 |
|
（物質・材料研究機構） 生田目 俊秀 氏 |
| 15:05〜15:40 |
6．「3D Flash MemoryにおけるALD技術の応用」 |
|
（東芝メモリ(株)） 相宗 史記 氏 |
| 15:40〜16:00 |
Break |
| 16:00〜16:35 |
7．「表面反応の原子・分子レベルモデリングの現状」 |
|
（みずほ情報総研(株)） 谷村 直樹 氏 |
| 16:35〜17:10 |
8．「Maximizing ALD SiO/SiN throughput using a chemistry approach」 |
|
（(株)エア・リキード・ラボラトリーズ） クリスチャン デュサラ 氏 |
| 17:10〜17:45 |
9．「ミニマルファブとアトミックレイヤープロセス」 |
|
（産業技術総合研究所） クンプアン ソマワン 氏 |
| 17:45〜17:50 |
閉会挨拶 |
|
| 18:00〜19:30 |
懇親会 (参加費 一般: 2,000円，学生: 1,000円) |
| 【参加費】 |
化学工学会 CVD 反応分科会法人会員(無料)，化学工学会 CVD 反応分科会個人会員(2,000円)，化学工学会反応工学部会会員(3,000円)，化学工学会会員(4,000円)，ALPワークショップ会員(4,000円)，CVD研究会会員(4,000円)，Cat-CVD研究会会員(4,000円)，非会員(10,000円)，学生(無料) |
-
| 主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会 |
| 日程 | 平成30年6月29日(金) 16:30〜18:00 |
| 会場 | 東京大学 本郷キャンパス 工学部4号館3階42講義室（419号室） |
| 講演者 | 広島大学大学院工学研究科化学工学専攻 教授 島田 学 先生 |
| 講演概要 | ガス相における微粒子の生成，輸送，処理に対する理解は，薄膜合成やエッチングなどのドライプロセスでのコンタミネーション・製造阻害の抑制と，材料ナノ粒子の気相精密合成の両方に関連して重要です．本講演では，微粒子の発生，表面処理，輸送，沈着・堆積や粒子汚染の影響の評価について，材料製造のシチュエーションを中心に大気環境，生体の場も含めて紹介します． |
| 参加費 | 無料 |
-
| 日程 | 平成30年10月31日(水) 10:00〜18:00 (終了後に懇親会を有料で開催します) |
| 会場 | 東京大学 本郷キャンパス 武田先端知ビル5F 武田ホール |
| 講習プログラム |
|
|
| | 反応速度論とCVDプロセスの反応速度解析 |
河瀬元明（京都大学） |
| | CVD反応器の形状と操作が製膜速度分布・膜質に及ぼす影響 |
羽深 等（横浜国立大学） |
| | 量産対応CVD装置の概要とシミュレーションを活用した設計・開発 |
川上 雅人（東京エレクトロン） |
| | CVDにおける素反応の量子化学計算の方法と素反応シミュレーションの実例 |
松木 亮（産業技術総合研究所） |
| | MOVPEによる化合物半導体成長における製膜速度分布の制御 |
杉山 正和（東京大学） |
| | ALDの基礎と応用用途 |
霜垣 幸浩（東京大学） |
| | CVD・ALD原料の特性と原料選択の指針 |
町田 英明（気相成長(株)） |
| 18:10〜19:40 | 懇親会 |
（会場： 武田ホールホワイエ，参加費：一般：2,000円，学生：1,000円） |
| 参加費（課税・税込） |
化学工学会CVD反応分科会法人賛助会員 | 1口につき1人無料，2人目以降は10,000円 |
| 化学工学会CVD反応分科会個人会員 | 10,000円 |
| 化学工学会会員 | 15,000円 |
| CVD研究会会員 | 15,000円 |
| Cat-CVD研究会会員 | 15,000円 |
| 非会員 | 20,000円 |
| 学生 | 5,000円 |
| 申込方法 |
「Web参加登録ページ」 より必要事項を記入してお申込み下さい。
上記サイトにアクセスできない場合には，(1)氏名，(2)勤務先(所属)，(3)連絡先E-mail，(4)参加資格（所属学会等），(5)懇親会出欠を明記の上， 電子メールにてcvd@scej.orgまでお申込み下さい。 |
| 申込締切 |
申し込みは締め切られました（2018.10.27）平成30年10月24日（水） ただし，定員（250名）になり次第締め切ります。 |
-
化学工学会CVD反応分科会 第29回シンポジウム「流動層の基礎とCVD/ALDによる粉体材料の機能化」
| 主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会 |
| 共催 | CVD 研究会，Cat-CVD 研究会 |
| 日程 | 平成30年11月9日（金) 13:00〜17:45 (12:30 受付開始) |
| 場所 | 東京工業大学キャンパス・イノベーションセンター 国際会議室 |
| プログラム |
|
| 13:00〜13:05 |
開会挨拶 |
|
| 13:05〜14:05 |
1．（基調講演）「流動触媒層の特徴と工業プロセスへの応用」 |
|
（鹿児島大学） 甲斐 敬美 氏 |
| 14:05〜14:45 |
2．「プラズマCVD法によるDLCコーティング技術」 |
|
（アドバンストマテリアルテクノロジー） 本多 祐二 氏 |
| 14:45〜15:25 |
3．「CVDの二次元場から三次元場への展開 - 流動層法による高純度・長尺カーボンナノチューブの高収率合成」 |
|
（早稲田大学） 野田 優 氏 |
| 15:25〜15:40 |
Break |
| 15:40〜16:20 |
4．「粉体へのALDコーティング概説 - 成膜方式と課題，アプリケーション，世界の動向」 |
|
（ALDジャパン） 百瀬 渉 氏 |
| 16:20〜17:00 |
5．「Particle ALD developments and opportunities」 |
|
（Forge Nano社） Paul Lichty 氏 |
| 17:00〜17:40 |
6．「室温原子層堆積法による微粒子上金属酸化物コーティング」 |
|
（山形大学） 廣瀬 文彦 氏 |
| 18:00〜19:30 |
懇親会 (参加費 一般: 2,000円，学生: 1,000円) |
| 【参加費】 |
化学工学会 CVD 反応分科会法人会員(無料)，化学工学会 CVD 反応分科会個人会員(2,000円)，化学工学会反応工学部会会員(3,000円)，化学工学会会員(4,000円)，CVD研究会会員(4,000円)，Cat-CVD研究会会員(4,000円)，非会員(10,000円)，学生(無料) |
