| プログラム | |||
| 1日め 8/9(水) | |||
| 13:30〜14:30 | 「遷移金属ダイカルコゲナイドの化学気相成長と原子置換によるマルチスケール構造制御」 | 岡山大学大学院自然科学研究科 助教 | |
| 14:30〜15:30 | 「ScAlMgO4基板上への窒化物半導体のMBE成長」 | 立命館大学理工学部電気電子工学科 | |
| 15:30〜16:30 | 「大口径・多数枚成膜装置実現に向けた6 inchウェハ上への酸化ガリウムHVPE成膜」 | 大陽日酸株式会社イノベーションユニットCSE事業部技術部 | |
| 16:30〜17:30 | 「結晶シリコン太陽電池におけるCVD・ALD技術」 | 産業技術総合研究所再生可能エネルギー研究センター太陽光デバイスチーム | |
| 2日め 8/10(木) | |||
| 8:30〜9:15 | (バス移動) | ホテル白鳥〜出雲村田製作所 | |
| 9:15〜11:00 | 工場見学 | 株式会社 出雲村田製作所 工場見学 | |
| 11:00〜11:30 | 「プラズマCVD法によるシリコンナノ粒子凝集体の高速堆積」 | 研究会幹事・岐阜大学 | |
| 11:30〜11:45 | 「不飽和度の異なる炭化水素種からのコーク生成速度の解析」 | 研究会会長・京都大学 | |
| 11:45〜12:00 | 「ヨウ化メチルアンモニウム鉛ペロブスカイトのCVDプロセスの開発」 | 研究会会長・京都大学 | |
| 参加費 | CVD研究会業界会員，業界個人会員 | 33,000円 | |
| CVD研究会個人会員 | 24,000円 | ||
| 共催・協賛団体会員(大学・国公立研究機関関係者) | 29,000円 | ||
| 共催・協賛団体会員(企業関係者) | 42,000円 | ||
| 一般 | 48,000円 | ||
| 学生 | 16,000円 | ||
CVD研究会では昨年度より行事の形式をコロナ禍以前のものに戻しました。第79回CVD研究会も現地参加のみでの開催としました。松江市という多くの方にとって移動に時間のかかる開催地であったにもかかわらず，24名の方にお集まりいただきました。今回も工場見学を企画し，株式会社出雲村田製作所本社工場で積層セラミックコンデンサー製造工程を見学させていただきました。多数でご対応いただいた出雲村田製作所本社工場の皆様に感謝申し上げます。 講演では，岡山大学の鈴木先生からは，遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）のCVDについてお話を伺いました。並行平板間の狭い空間で製膜することで，単結晶単層サイズを大きくできることや，FETへの応用，両面でカルコゲンの異なるヤヌス TMDC などについてご紹介いただきました。 立命館大学の出浦先生には，窒化物半導体の実用には，基板の開発が重要なこと，ScAlMgO4基板（SAM基板）の長所，同基板上の MBE，低温MBEでは安定相であるウルツ鉱構造だけでなく準安定相である閃亜鉛鉱構造が混在する課題などをご紹介いただきました。 大陽日酸株式会社の清水裕大様には，酸化ガリウムの大面積 HVPE 製膜についてご講演いただきました。β-Ga2O3の HVPE と MOCVD のプロセス開発，装置開発ならびに CVDコートエピ基板についてご紹介いただき，6インチエピウエハまで到達している話を伺った。理論，実験，数値シミュレーションのすべてを用いた研究開発が印象的であった。 産業技術総合研究所再生可能エネルギー研究センター太陽光デバイスチームの松井卓矢様には，平成25年の第57回CVD研究会以来の10年ぶりに太陽電池についてのお話を伺いました。シリコン太陽電池の変換効率は理論限界に近く，パッシベーションが重要なこと，ペロブスカイト太陽電池が実用レベルに到達したこと，シリコンとペロブスカイトのタンデム太陽電池についてなどを，わかりやすくお話しくださいました。 2日めは，株式会社ミライズテクノロジーズの三宅裕樹様から「自動車用パワーデバイス開発の現状とCVD技術」というご講演をいただく予定でしたが，急遽ご出席が叶わぬこととなりました。次回以降に改めてご講演をお願いしています。 代打として，研究会幹事の岐阜大学西田から，プラズマCVD法によるシリコンナノ粒子凝集体の高速堆積について， また京都大学の河瀬から，炭化水素からのコーク生成ならびにヨウ化メチルアンモニウム鉛ペロブスカイトのCVDについて， 研究紹介をいたしました。内容が変わりましたことをお詫びします。 今回は，講演会場は少し離れた駅前のテルサで，食博は宍道湖の畔のホテルという合宿セミナーでした。日常を離れての研究会だったからでしょうか，非常に議論が盛り上がりました。景色や温泉，食事も楽しめ，質疑以外の懇談も盛り上がりました。見学した工場へは45分間のバス移動で，往復の車中でも会話が弾みました。講演者と工場の皆様ならびに参加者の皆様に感謝します。
| プログラム | |||
| 10:30〜11:20 | 「自動車用パワーデバイス開発の現状とCVD技術」 | （株）ミライズテクノロジーズ パワエレ第2開発部 | 三宅 裕樹 氏 |
| 11:20〜12:10 | 「MBEを利用した層状カルコゲナイド超薄膜の新奇物性開拓」 | 東京大学大学院工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター/物理工学専攻特任准教授 | 中野 匡規 氏 |
| 13:30〜13:45 | 令和5年度CVD研究会総会 | ||
| 13:45〜14:35 | 「スパッタPZT薄膜について」 | 住友精密工業（株） MEMS∞ 営業・マーケティンググループ | |
| 14:35〜15:25 | 「テラワット時代の太陽光発電の世界的動向と、運輸や住宅とのセクターカップリング」 | 産業技術総合研究所 安全科学研究部門 社会とLCA研究グループ | 櫻井 啓一郎 氏 |
| 15:35〜16:25 | 「窒化物半導体結晶成長に向けた新しいプラズマMOCVDの開発」 | 産業技術総合研究所 電子光基礎RI 先進プラズマプロセスグループ | 熊谷 直人 氏 |
| 16:25〜17:15 | 「カーボンブラックの基本特性と表面処理について」 | 東海カーボン株式会社 | 杉山 義幸 氏 |
| 17:45〜19:30 | 懇親会 | ||
| CVD研究会会員 | 3,000円 | ||
| 大学・国公研 教員・研究者・技術者 | 5,000円 | ||
| 共催・協賛学協会会員(企業関係者) | 10,000円 | ||
| 一般 | 15,000円 | ||
| 学生 | 1,000円 | ||
| 4,000円 | |||
| 令和5年12月7日(木) 12時 | |||
| https://cvdjpn.doorkeeper.jp/events/165725よりお申し込みください。参加費は、クレジットカード払いでお願いします。請求書払いを希望される場合は、事務局にご相談ください。 | |||
| CVD研究会 （会長 河瀬元明, 事務局 影山美帆） 〒615-8510 京都市西京区京都大学桂 |
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第80回CVD研究会は、初めての名城大学天白キャンパスでの開催となりました。会場は15階のホールで、30名の方にお集まりいただきました。セミコンジャパンと日程が重複し残念ながら欠席と連絡をくださった方もありました。来年以降開催日選定の際に考慮します。
今回の講演は，まず、ミライズテクノロジーズの三宅様から、自動車用パワーデバイスについてのお話を伺いました。Si, SiC, GaN, Ga2O3, ダイヤモンドという大きな流れの中、現在どういう状況にあるのか、明瞭な説明をいただきました。超高温CVDも興味深いものでした。東京大学の中野先生からは、物性研究者の立場から層状カルコゲナイド超薄膜のMBEについてお話をいただきました。意のままに構造を作っておられるようにも見える合成結果、予想通りに現れる物性に驚かされました。住友精密工業の木内様からはMEMSについてのお話を伺いました。MEMSで作っておられる実際の製品の話やPZT薄膜のスパッタ合成の話を興味深く拝聴しました。産業技術総合研究所の櫻井様からは、太陽光発電、カーボンニュートラルについて、CVD技術ではなく、背景や現況、政策課題に至るまでの人類についてのお話を聞かせていただきました。産業技術総合研究所の熊谷様には、プラズマMOCVDでの窒化物半導体結晶成長についてお話しいただきました。プラズマとMOを組み合わせることは実際に行われてはいますが、系は限られています。貴重なお話でした。東海カーボンの杉山様からは、カーボンブラックについての説明をいただきました。粒子合成のCVDについては毎回でも取り上げたいのですがお話しいただける方が少ない中、お引き受けいただきました。表面処理はCVDではありませんでした。
今回は，これまで講演依頼をしても日程の合わなかった講師の方々にご参加いただけました。同じ物質や同じ装置を使っているという参加者がそれぞれいらっしゃって、議論は深くなりました。講演者ならびに参加者の皆様、そして会場を準備いただいた竹田先生に感謝します。
| 主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会 | ||
| 共催 | CVD 研究会，Cat-CVD研究会 | ||
| 日程 | 2023年3月13日(月) 11:00〜17:10 | ||
| 会場 | 京都大学東京オフィス会議室A, B（東京都千代田区丸の内1-5-1 新丸の内ビルディング 10階）とWeb開催（Zoom）のハイブリッド | ||
| 参加形態 | リアルタイム参加 | ||
| 参加費(税込) | 化学工学会 CVD反応分科会法人賛助会員（無料）， 化学工学会 CVD反応分科会個人会員（3,000円）， 化学工学会 反応工学部会会員（4,000円），化学工学会会員（5,000円）， CVD研究会会員（5,000円），Cat-CVD研究会会員（5,000円）， 非会員（12,000円），学生（対面2,000円，オンライン無料） | ||
| 申込方法 | https://cvd-hannoubunkakai.doorkeeper.jp/events/151494よりお申し込み下さい．また，doorkeeper.jp ドメインからのメールを受信可能としておいてください． アクセスできない場合には，(1)氏名，(2)所属，(3)連絡先E-mail，(4)参加資格(所属学会等)，(5)参加形態（対面参加，オンライン参加，午前オンライン＋午後対面，その他）を明記のうえ，cvd@scej.orgまでメールにてお申し込み下さい． 申込締切： 3月6日(月)正午 厳守（Web開催のため締め切り後の申し込みは一切できません．また，対面参加40名，オンライン参加300名の定員に達し次第，申し込み受付を終了いたします．） |
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| 申込締切 | 6月27日(月)正午 厳守（web開催のため締め切り後の申し込みは一切できません．また，定員300名に達し次第，申し込み受付を終了いたします．） | ||
| 問い合わせ先 | CVD反応分科会事務局 E-mail：cvd@scej.org | ||
| 注意 |
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| 開催趣旨 | 新しい薄膜材料の探索が加速される中，それをいかに作るかが問われている。計算科学は，実験で見えないプロセス過程をひとつひとつ理解しながら予測・最適化するために必要不可欠なツールとなった。中でも第一原理計算は未知の現象予測を可能にする強力な手法である。しかし，実際の薄膜プロセスでは，気相・表面・固相で多数の原子・分子が複雑にかかわっており，よりマクロな空間・時間スケールに拡張するための工夫が重要となる。本シンポジウムでは，スーパーコンピューターの活用や，計算手法のハイブリッド化，機械学習技術を取り入れた計算の効率化や実践的な最適化への取り組みなど，CVD法ならびに薄膜に関連した最新の計算科学手法と研究開発成果を紹介し，CVD分野における計算科学の有用性の現在と未来を議論する。 |
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| プログラム | |||
| 開場 | |||
| 開会挨拶 | |||
| 1．[オンライン]「GaN MOCVDにおけるプロセスインフォマティクスの進展」 | |||
| (九州大学) |
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| 休憩 | |||
| 2．[対面]「CVDプロセスと摩耗プロセスの全原子分子動力学シミュレーション」 | |||
| (東北大学) |
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| 3．[対面]「プラズマ照射下の空間ミクロかつ時間マクロな構造変化とモデルの進展」 | |||
| (核融合科学研究所) |
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| 休憩 | |||
| 4．[オンライン]「アクティブラーニングによる機械学習力場自動生成と第一原理物性予測」 | |||
| (豊田中央研究所) |
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| 5．[対面]「反応モデルと機械学習によるバッチ炉CVD製膜の条件最適化」 | |||
| (東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ) |
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| 閉会挨拶 | |||
| 参加者 | 54名（うち 34名オンライン) | ||
| シンポジウムオーガナイザー | 玉置 直樹（キオクシア株式会社） 西田 哲 （岐阜大学） 河瀬 元明（京都大学） |
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| 主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会 | ||
| 共催 | CVD 研究会 | ||
| 日程 | 2023年6月1日(木) 15:30〜17:00 | ||
| 会場 | 東京大学 工学部4号館205セミナー室 ならびに リアルタイムオンライン配信（Zoom） | ||
| 講師 | 気相成長株式会社 代表取締役 社長 町田 英明 氏 | ||
| 主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会 | ||
| 共催 | CVD 研究会，Cat-CVD研究会 | ||
| 日程 | 2023年6月19日(月) 13:00〜17:50 | ||
| 会場 | 東京工業大学 大岡山キャンパス 西5号館 3階 WL1-301講義室 とWeb開催（Zoom）のハイブリッド | ||
| シンポジウムオーガナイザー | 下山 裕介（東京工業大学） 百瀬 健 （熊本大学） 清水 秀治（大陽日酸） 羽深 等（横浜国立大学） |
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| プログラム | |||
| 開場，受付 | |||
| 開会の挨拶 | |||
| [対面] パルス変調プラズマエッチングにおけるグローバルモデルによる入射イオンエネルギー分布の予測 | 櫻井 清吾 氏 |
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| [対面] 電子線リソグラフィの現状と今後の展開 | 日本電子株式会社 桑野 靖久 氏 |
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| [対面] 最先端半導体デバイス国内量産復活への指針と展望 | Rapidus株式会社 小池 淳義 氏 |
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| 休憩 | |||
| [対面] 半導体製造CMP工程とCMP洗浄技術（仮題） | 株式会社 荏原製作所 今井 正芳 氏 |
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| [対面] 先端半導体におけるウェット洗浄の課題と表面分析（仮題） | 株式会社SCREEN 上田 大 氏 |
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| [対面] ３次元LSIに向けたTSV形成プロセス技術 | サムコ株式会社 八木 公輔 氏 |
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| 閉会の挨拶 | |||
| 主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会 | ||
| 共催 | CVD 研究会 | ||
| 日程 | 2023年11月14日(火) 13:00〜16:50（予定） | ||
| 会場 | 早稲田大学 西早稲田キャンパス 62号館W棟1階大会議室A,B（＋Zoomによるオンライン） | ||
| 参加費(税込) | 化学工学会 CVD反応分科会法人賛助会員（無料）， 化学工学会 CVD反応分科会個人会員（3,000円）， 化学工学会 反応工学部会会員（4,000円），化学工学会会員（5,000円）， CVD研究会会員（5,000円），Cat-CVD研究会会員（5,000円）， 非会員（12,000円），学生（対面2,000円、オンライン無料） | ||
| 申込方法 | https://cvd-hannoubunkakai.doorkeeper.jp/events/161056よりお申し込み下さい．また，doorkeeper.jp ドメインからのメールを受信可能としておいてください． アクセスできない場合には，(1)氏名，(2)所属，(3)連絡先E-mail，(4)参加資格(所属学会等)を明記のうえ，cvd@scej.orgまでメールにてお申し込み下さい． |
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| 申込締切 | 11月10日(金)正午 厳守（締め切り後の申し込みは一切できません．対面参加70名，オンライン参加300名の定員に達し次第，申し込み受付を終了いたします．） | ||
| 問い合わせ先 | CVD反応分科会事務局 E-mail：cvd@scej.org | ||
| 注意 |
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| 開催趣旨 | グラフェンや遷移金属ダイカルコゲナイドに代表される二次元物質・材料は，その新奇な物性により新たな半導体デバイスを実現し得ると期待されています．2004 年のグラフェンの報告より，物質群，合成・加工・実装技術，応用などが大きく進展しました．今回のシンポジウムでは，これまでの領域発展のレビューから最新の成果のご紹介までを頂き，二次元材料の実用化に向けた展望を議論します． |
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| プログラム | |||
| 開場、受付 | |||
| 開会挨拶 | |||
| 「遷移金属ダイカルコゲナイドの合成と機能」 | 宮田 耕充 氏 |
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| 「Symmetry-directed Epitaxy Growth of 2D TMDs on C-plane Sapphire」 | 東京大学 Vincent Tung 氏 |
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| 休憩 | |||
| 「グラフェンの CVD 成長におけるリアルタイム観察技術とその活用」 | NTT物性科学基礎研究所 小川 友以 氏 |
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| 「二次元材料/相転移材料ファンデルワールスヘテロ構造のデバイス応用」 | 関西大学 山本 真人 氏 |
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| （基調講演）「１次元２次元半導体物質の戦略とCVD」 | 東北大学 齋藤 理一郎 氏 |
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| 閉会挨拶 | |||
| シンポジウムオーガナイザー | 杉目 恒志（近畿大学），玉置 直樹（キオクシア株式会社），野田 優（早稲田大学） | ||
cvd.jpn.org