令和2年度のCVD研究会の活動は,新型コロナウイルスへの対応として,すべてオンラインで行うこととしました。そのため合宿である夏季セミナーは開催せず,以下の講演会を開催しました。令和3年3月4日にも第73回CVD研究会を開催しました。この第73回については令和3年CVD研究会活動記録のページに記載しています。
日程 | 令和2年10月27日(火) 13:00〜17:00 | ||
会場 | オンライン(Zoom ミーティング) | ||
共催 | 京都大学工学研究科,化学工学会反応工学部会CVD反応分科会 | ||
プログラム | |||
13:00〜14:00 | 「独自の高純度化材料を用いたペロブスカイト太陽電池の高性能化研究」 | 京都大学化学研究所 | |
14:00〜15:00 | 「ミストCVDによるκ-酸化ガリウムのエピタキシャル成長」 | 京都工芸繊維大学 | |
15:00〜16:00 | 「スパッタリングによるDLC成膜」 | (株)神戸製鋼所 機械事業部門 産業機械事業部 | |
16:00〜17:00 | 「切削工具用CVD-AlTiN膜の開発」 | 三菱マテリアル(株) 加工事業カンパニー 開発本部 材料・コーティング開発センター |
CVD研究会では初めてのオンライン講演会となりました。参加費を会員非会員を問わず無料にしたこともあり,参加者数は108名に上りました。 若宮先生と沖本様のご講演は溶液法とスパッタリング法に関するもので,CVDではありませんが,若宮先生にはペロブスカイト太陽電池とその合成法のノウハウまで,丁寧にご教示いただきました。沖本様には,新しいスパッタ装置の意図や効果,受託加工についてまでご説明いただきました。いずれも示唆に富んだ話を興味深くうかがうことができました。西中先生はわかりやすく新しい酸化ガリウムの結晶形のミストCVDを説明されました。石垣様には,基礎的なことから工業製品の開発に関することまで貴重なお話をうかがいました。100人を超える参加者でも混乱なく,質疑応答も充実したものとなりました。講演者ならびに参加者の皆様に感謝します。
日程 | 令和2年12月18日(金) 13:00〜17:00 | ||
会場 | オンライン | ||
共催 | 京都大学工学研究科,化学工学会反応工学部会CVD反応分科会 | ||
プログラム | |||
13:00〜14:00 | 「CVDプラズマ中のナノ粒子の成長制御と応用」 | 九州大学 教授 | |
14:00〜15:00 | 「成膜材料と成膜プロセス開発の現状と今後」 | 株式会社ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ 技術開発本部長 | |
15:00〜16:00 | 「ハライド気相成長法によるβ-Ga2O3高品質ホモエピタキシャル層の高速成長と導電性制御」 | 東京農工大学 大学院工学研究院応用化学部門 教授 | |
16:00〜17:00 | 「AlGaN混晶のMOVPE成長シミュレーション」 | King Abdullah University of Science and Technology (KAUST) 教授 |
2回めのオンライン講演会にも,55名の参加をいただきました。初めての海外からのご講演もトラブルなく実施できました。今回の質疑応答も活発でした。講演者ならびに参加者の皆様に感謝します。
主催 | 化学工学会 反応工学部会 CVD 反応分科会 | ||
共催 | CVD 研究会,Cat-CVD 研究会,フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会 | ||
日程 | 令和2年2月5日(水) 13:00〜18:00 (12:30 受付開始) | ||
会場 | 東京大学 本郷キャンパス 工学部4号館3階41講義室(417号室) | ||
二次元材料と呼ばれる層状物質は、三次元のバルク材料とは全く異なる性質を有しており、様々なデバイスへの応用が期待されています。二次元材料としてはグラフェンが最も有名ですが、カルコゲナイドなどの半導体材料や、デバイス化に欠かせない絶縁体・誘電体の六方晶窒化ホウ素の原子層なども注目されており多くの研究が行われています。今回のシンポジウムでは、それら二次元材料について、最新の材料開発、新規製膜技術、デバイス応用等についてそれぞれの分野で最先端を行く専門家の皆様に講演を行って頂き二次原材料についての理解を深める場としたいと思います。多数のご参加をお待ち申し上げております。 | |||
プログラム | |||
開会挨拶 | |||
1. (基調講演)「1次元・2次元材料のCVD合成と応用」 | |||
(東京大学) |
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2.「カルコゲナイド系層状物質材料の基礎と薄膜形成法」 | |||
(埼玉大学) |
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Break | |||
3.「革新的デバイス応用に向けたグラフェンナノリボンのボトムアップ合成」 | |||
((株) 富士通研究所) |
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4.「フラックス法による窒化ホウ素単結晶合成と不純物制御による機能発現」 | |||
(物質・材料研究機構) |
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Break | |||
5.「二次元結晶ファンデルワールス接合の作製技術構築と量子輸送現象」 | |||
(東京大学) |
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6.「2次元材料成膜とスパッタMoS2チャネルnMOSFET」 | |||
(東京工業大学) |
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閉会挨拶 | |||
懇親会[会場:東京大学工学部4号館3階44講義室(401B号室)] (参加費 一般: 2,000円,学生: 1,000円) | |||
【参加費】 | 化学工学会 CVD反応分科会法人賛助会員(無料),化学工学会 CVD反応分科会個人会員(2,000 円),化学工学会 反応工学部会会員(3,000 円),化学工学会会員(4,000 円),CVD研究会会員(4,000円),Cat-CVD研究会会員(4,000 円),フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会会員(4,000円),非会員(10,000 円),学生(無料) | ||
問い合わせ先 | CVD反応分科会事務局 E-mail:cvd@scej.org |
日程 | 令和2年11月20日(金) 13:00〜18:00 | ||
会場 | web開催(Cisco Webex Events) | ||
主催 | 化学工学会反応工学部会CVD反応分科会 | ||
共催 | CVD研究会,Cat-CVD研究会 | ||
新型コロナウイルスの影響のため,テレワークやリモートワーク化が進み電子デバイスの利用頻度がますます高くなってきています.近年の半導体デバイスはロジック・メモリ分野ともに新規材料の導入や微細化に加え3D化が進み,単なるパターニングの製膜ばかりでなく選択的な製膜プロセスも求められるようになってきました. |
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Webexサイトオープン | |||
開会挨拶 | 分科会代表 河瀬 元明 | ||
(基調講演) 「CVD/ALD選択成長プロセス開発のカギを握る製膜初期過程の理解と制御」 | (東京大学) 霜垣 幸浩 氏 | ||
「いまさら聞けない選択タングステン」 | (東京工業大学)大場 隆之 氏 | ||
休憩 | |||
「化合物半導体のMOVPEプロセスと選択成長」 | (東京大学)杉山 正和 氏 | ||
「選択製膜への挑戦と課題」 | (東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ(株)) 東雲 秀司 氏 | ||
休憩 | |||
「ナノカーボンのCVD選択成長とデバイス応用」 | (東京農工大学) 前橋 兼三 氏 | ||
「表面素反応からみた薄膜成長プロセス」 | (東京大学) 吉信 淳 氏 | ||
参加費 | 無料 | ||
申込方法 | 「Web参加登録ページ」 よりお申込み下さい。 アクセスできない場合には,(1)氏名,(2)勤務先(所属),(3)連絡先E-mail,(4)参加資格(所属学会等)を明記の上, 電子メールにてcvd@scej.orgまでお申込み下さい。 |
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申込締切 | 11月18日(水) 厳守(web開催の為,締め切り後の申し込みは一切できません.また,定員に達し次第,申し込みを終了いたします.) | ||
シンポジウムオーガナイザー | 筑根 敦弘(大陽日酸株式会社) 三宅 雅人(奈良先端科学技術大学院大学) 川上 雅人(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社) 森 伸介 (東京工業大学) |
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問い合わせ先 | CVD反応分科会事務局 E-mail:cvd@scej.org |
主催 | 化学工学会反応工学部会CVD反応分科会,CVD研究会,Cat-CVD研究会 | ||
日程 | 令和2年12月14日(月) 9:30〜18:30 | ||
会場 | オンライン(Zoom) | ||
参加形態 | リアルタイム参加(リアルタイム聴講,リアルタイム質疑,オンデマンド聴講) オンデマンド参加(オンデマンド聴講のみ) ※オンデマンド聴講とは当日撮影した動画を後日視聴いただくものです(会期1 か月後まで) 視聴できるのは講演部分のみとし,質疑は含みません. |
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注意 |
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CVD反応分科会では,最先端の研究成果を共有し議論するシンポジウムに加えて,学生や若手社員などの初学者向けにCVDプロセスの基礎を体系的に学習できる講習会を開催しています.今回は,CVDに加えて,産業界からの要望の多いALDや,計算科学の進展により強力なプロセス開発ツールとなってきた量子化学計算に関する講習も含めております.これからCVDを始める方も,更なる知識の習得を目指す方も奮ってご参加ください. |
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開会挨拶 | 分科会代表 河瀬 元明 | ||
「反応速度論とCVDプロセスの反応速度解析」 | (京都大学) 河瀬 元明 | ||
「CVD反応器の形状と操作が製膜速度分布・膜質に及ぼす影響」 | (横浜国立大学)羽深 等 氏 | ||
(休憩) | |||
「量産対応CVD装置の概要とシミュレーションを活用した設計・開発」 | (東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ(株))川上 雅人 氏 | ||
「CVDにおける素反応の量子化学計算の方法と素反応シミュレーションの実例」 | (産業技術総合研究所) 松木 亮 氏 | ||
「CVD・ALD原料の特性と原料選択の指針」 | (気相成長(株)) 町田 英明 氏 | ||
(休憩) | |||
「ALDの基礎と応用用途」 | (東京大学) 霜垣 幸浩 氏 | ||
「MOVPEによる化合物半導体成長における製膜速度分布の制御」 | (東京大学)杉山 正和 氏 | ||
閉会挨拶 | |||
参加費(課税・税込)リアルタイム参加の場合 | 化学工学会CVD反応分科会法人賛助会員 | 1口につき1人無料,2人目以降は10,000円 | |
化学工学会CVD反応分科会個人会員 | 10,000円 | ||
化学工学会会員 | 15,000円 | ||
CVD研究会会員 | 15,000円 | ||
Cat-CVD研究会会員 | 15,000円 | ||
非会員 | 20,000円 | ||
学生 | 5,000円 | ||
参加費(課税・税込)オンデマンド参加の場合 | リアルタイム参加の場合の参加費の半額 | ||
申込方法 | 「Web参加登録ページ https://cvd-hannoubunkakai.doorkeeper.jp/events/113406」 よりお申し込み下さい(手順詳細は末尾参照). アクセスできない場合には,(1)氏名,(2)所属,(3)連絡先E-mail,(4)参加資格(所属学会等)を明記の上, cvd@scej.org までメールにてお申し込み下さい. |
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申込締切 | 12月10日(木) | ||
参加申込および支払い等に関して |
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問い合わせ先 | CVD反応分科会事務局 E-mail:cvd@scej.org |